Für die gemeinsame Emitterkonfiguration des Transistors mit vorwärts vorgespanntem Emitter-Basis-Übergang und rückwärts vorgespanntem Kollektor-Basis-Übergang ist der Teil des Emitterstroms, der den Kollektor erreicht, IC - ICEO (Kollektor-Emitter-Strom). Somit wird der Leckstrom berücksichtigt und es wird ein Ausdruck gebildet, dass der Kollektor-Emitter-Leckstrom in der Konfiguration mit gemeinsamem Emitter (β 1) mal größer ist als der in der Konfiguration mit gemeinsamer Basis.