Kollektorstrom des PNP-Transistors Taschenrechner

Kollektorstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Diffusionskonstante für PNP)/Basisbreite
I_c = (q*A*N_d*D_p)/W_b
Diese formel verwendet 6 Variablen
Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist der Strom, der durch den Kollektoranschluss des Transistors fließt und der vom Transistor verstärkt wird.
Aufladung - (Gemessen in Coulomb) - Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.
Emitterbasis-Verbindungsbereich - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Emitter-Basis-Übergangsbereich ist ein PN-Übergang, der zwischen dem stark dotierten P-Typ-Material (Emitter) und dem schwach dotierten N-Typ-Material (Basis) des Transistors gebildet wird.
Gleichgewichtskonzentration des N-Typs - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Gleichgewichtskonzentration des N-Typs entspricht der Dichte der Donoratome, da die Elektronen für die Leitung ausschließlich vom Donoratom bereitgestellt werden.
Diffusionskonstante für PNP - (Gemessen in Quadratmeter pro Sekunde) - Die Diffusionskonstante für PNP beschreibt, wie leicht diese Minoritätsträger durch das Halbleitermaterial diffundieren, wenn ein elektrisches Feld angelegt wird.
Basisbreite - (Gemessen in Meter) - Die Basisbreite ist ein wichtiger Parameter, der die Eigenschaften des Transistors beeinflusst, insbesondere im Hinblick auf seinen Betrieb und seine Geschwindigkeit.

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)