✖Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.ⓘ Sättigungsstrom [Isat] | | | +10% -10% |
✖Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.ⓘ Basis-Emitter-Spannung [VBE] | | | +10% -10% |
✖Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.ⓘ Thermische Spannung [Vt] | | | +10% -10% |
✖Die Kollektor-Emitter-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorgebiet eines Transistors.ⓘ Kollektor-Emitter-Spannung [VCE] | | | +10% -10% |
✖Die Versorgungsspannung ist die Eingangsspannungsquelle, die durch den BJT fließt.ⓘ Versorgungsspannung [VDD] | | | +10% -10% |