Kollektor-Basis-Kapazität Taschenrechner

Kollektorbasiskapazität = Emitterbasis-Verbindungsbereich*sqrt((Aufladung*Permittivität*Dopingdichte)/(2*(Eingebautes Potenzial+Reverse-Bias-Kreuzung)))
C_cb = A*sqrt((q*ε*N_b)/(2*(ψ_o+V_rb)))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 7 Variablen
sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)Kollektorbasiskapazität - (Gemessen in Farad) - Die Kollektor-Basiskapazität ist einfach die Kapazität der Kollektor-Basis-Verbindung, einschließlich des flachen unteren Teils der Verbindung und der Seitenwände.
Emitterbasis-Verbindungsbereich - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Emitter-Basis-Übergangsbereich ist ein PN-Übergang, der zwischen dem stark dotierten P-Typ-Material (Emitter) und dem schwach dotierten N-Typ-Material (Basis) des Transistors gebildet wird.
Aufladung - (Gemessen in Coulomb) - Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.
Permittivität - (Gemessen in Farad pro Meter) - Die Permittivität ist eine physikalische Eigenschaft, die beschreibt, wie viel Widerstand ein Material der Bildung eines elektrischen Feldes in seinem Inneren entgegensetzt.
Dopingdichte - (Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter) - Die Dotierungsdichte ist ein Prozess, bei dem bestimmte Verunreinigungsatome wie Phosphor oder Bor in den Halbleiter eingebracht werden, um dessen elektrische Eigenschaften zu verändern.
Eingebautes Potenzial - (Gemessen in Volt) - Das eingebaute Potenzial beeinflusst die Größe des Verarmungsbereichs, was wiederum die Kapazität des Übergangs beeinflusst.
Reverse-Bias-Kreuzung - (Gemessen in Ampere) - Reverse Bias Junction bezieht sich auf den Zustand in einem Halbleiterbauelement, bei dem die an der Verbindungsstelle angelegte Spannung dem normalen Stromfluss durch das Bauelement entgegenwirkt.

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)