CMOS mittlerer freier Pfad Taschenrechner

✖Die kritische Spannung im CMOS ist die minimale Phasenspannung zur Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Leitungsleiters leuchtet und auftritt.ⓘ Kritische Spannung im CMOS [V_c]			+10% -10%
✖Das kritische elektrische Feld ist definiert als die elektrische Kraft pro Ladungseinheit.ⓘ Kritisches elektrisches Feld [E_c]			+10% -10%

✖Die mittlere freie Weglänge ist definiert als die durchschnittliche Distanz, die ein sich bewegendes Teilchen zwischen aufeinanderfolgenden Stößen zurücklegt, wodurch sich seine Richtung, Energie oder andere Teilcheneigenschaften ändern.ⓘ CMOS mittlerer freier Pfad [L]

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CMOS mittlerer freier Pfad Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Mittlerer freier Pfad = Kritische Spannung im CMOS/Kritisches elektrisches Feld
L = V_c/E_c
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Mittlerer freier Pfad - (Gemessen in Meter) - Die mittlere freie Weglänge ist definiert als die durchschnittliche Distanz, die ein sich bewegendes Teilchen zwischen aufeinanderfolgenden Stößen zurücklegt, wodurch sich seine Richtung, Energie oder andere Teilcheneigenschaften ändern.
Kritische Spannung im CMOS - (Gemessen in Volt) - Die kritische Spannung im CMOS ist die minimale Phasenspannung zur Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Leitungsleiters leuchtet und auftritt.
Kritisches elektrisches Feld - (Gemessen in Volt pro Meter) - Das kritische elektrische Feld ist definiert als die elektrische Kraft pro Ladungseinheit.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kritische Spannung im CMOS: 2.79 Volt --> 2.79 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Kritisches elektrisches Feld: 0.004 Volt pro Millimeter --> 4 Volt pro Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

L = V_c/E_c --> 2.79/4

Auswerten ... ...

L = 0.6975

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.6975 Meter -->697.5 Millimeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

697.5 Millimeter <-- Mittlerer freier Pfad

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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CMOS mittlerer freier Pfad

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Kritische CMOS-Spannung

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Bereich der Quellendiffusion

LaTeX Gehen Bereich der Quellendiffusion = Länge der Quelle*Übergangsbreite

Breite der Quellendiffusion

LaTeX Gehen Übergangsbreite = Bereich der Quellendiffusion/Länge der Quelle

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CMOS mittlerer freier Pfad Formel

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Mittlerer freier Pfad = Kritische Spannung im CMOS/Kritisches elektrisches Feld
L = V_c/E_c

Welche Auswirkungen hat die Temperatur auf den Sperrsättigungsstrom und die Sperrspannung?

Die Temperatur hat einen erheblichen Einfluss auf den Sperrsättigungsstrom und die Sperrspannung in Dünnschichttransistoren. Ein Temperaturanstieg führt typischerweise zu einem Anstieg des Sperrsättigungsstroms und einem Abfall der Barrierenspannung. Dies liegt daran, dass höhere Temperaturen zu einer erhöhten kinetischen Energie des Gases führen, was die Injektion von Ladungsträgern in den Verarmungsbereich des Transistors erleichtern kann.

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