GGT rechner

Kanalwiderstand Taschenrechner

Maschinenbau Chemie Finanz Gesundheit Mehr >>

↳

Elektronik Bürgerlich Chemieingenieurwesen Elektrisch Mehr >>

⤿

Integrierte Schaltkreise (IC)Analoge Elektronik Analoge Kommunikation Antenne und Wellenausbreitung Mehr >>

⤿

MOS-IC-Herstellung Bipolare IC-Herstellung Schmitt-Trigger

✖Die Transistorlänge bezieht sich auf die Länge des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.ⓘ Transistorlänge [L_t]			+10% -10%
✖Die Transistorbreite bezieht sich auf die Breite des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.ⓘ Breite des Transistors [W_t]			+10% -10%
✖Elektronenmobilität beschreibt, wie schnell sich Elektronen als Reaktion auf ein elektrisches Feld durch das Material bewegen können.ⓘ Elektronenmobilität [μ_n]			+10% -10%
✖Die Trägerdichte bezieht sich auf die Anzahl der im Halbleiterkanal vorhandenen Ladungsträger (Elektronen oder Löcher).ⓘ Trägerdichte [Q_on]			+10% -10%

✖Der Kanalwiderstand bezieht sich auf den Widerstand, den das Halbleitermaterial im Kanal bietet, durch den der Strom zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt.ⓘ Kanalwiderstand [R_ch]

⎘ Kopie

👎

Formel

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MOS-IC-Herstellung Formeln Pdf PDF Image

Kanalwiderstand Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kanalwiderstand = Transistorlänge/Breite des Transistors*1/(Elektronenmobilität*Trägerdichte)
R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on)
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Kanalwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Kanalwiderstand bezieht sich auf den Widerstand, den das Halbleitermaterial im Kanal bietet, durch den der Strom zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt.
Transistorlänge - (Gemessen in Meter) - Die Transistorlänge bezieht sich auf die Länge des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.
Breite des Transistors - (Gemessen in Meter) - Die Transistorbreite bezieht sich auf die Breite des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.
Elektronenmobilität - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Elektronenmobilität beschreibt, wie schnell sich Elektronen als Reaktion auf ein elektrisches Feld durch das Material bewegen können.
Trägerdichte - (Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter) - Die Trägerdichte bezieht sich auf die Anzahl der im Halbleiterkanal vorhandenen Ladungsträger (Elektronen oder Löcher).

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transistorlänge: 3.2 Mikrometer --> 3.2E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Breite des Transistors: 5.5 Mikrometer --> 5.5E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Elektronenmobilität: 30 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde --> 30 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Trägerdichte: 0.0056 Elektronen pro Kubikmeter --> 0.0056 Elektronen pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on) --> 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056)

Auswerten ... ...

R_ch = 3.46320346320346

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

3.46320346320346 Ohm --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

3.46320346320346 ≈ 3.463203 Ohm <-- Kanalwiderstand

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » Integrierte Schaltkreise (IC) » MOS-IC-Herstellung » Kanalwiderstand

Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

< MOS-IC-Herstellung Taschenrechner

Körpereffekt im MOSFET

LaTeX Gehen Schwellenspannung mit Substrat = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial))

Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich

LaTeX Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter/2*(Gate-Source-Spannung-Schwellenspannung mit Zero Body Bias)^2*(1+Modulationsfaktor der Kanallänge*Drain-Quellenspannung)

Kanalwiderstand

LaTeX Gehen Kanalwiderstand = Transistorlänge/Breite des Transistors*1/(Elektronenmobilität*Trägerdichte)

MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz

LaTeX Gehen Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)

Mehr sehen >>