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VLSI-Materialoptimierung Analoges VLSI-Design

✖Die Gate-Kapazität ist die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.ⓘ Gate-Kapazität [C_g]			+10% -10%
✖Die Gate-zu-Kanal-Spannung ist definiert als der Drain-Source-Einschaltwiderstand, der größer als der Nennwert ist, wenn die Gate-Spannung in der Nähe der Schwellenspannung liegt.ⓘ Gate-zu-Kanal-Spannung [V_gc]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [V_t]			+10% -10%

✖Kanalladung ist definiert als die Kraft, die eine Materie erfährt, wenn sie in ein elektromagnetisches Feld gebracht wird.ⓘ Kanalladung [Q_ch]

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Kanalladung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)
Q_ch = C_g*(V_gc-V_t)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Kanalgebühr - (Gemessen in Coulomb) - Kanalladung ist definiert als die Kraft, die eine Materie erfährt, wenn sie in ein elektromagnetisches Feld gebracht wird.
Gate-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Kapazität ist die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.
Gate-zu-Kanal-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-zu-Kanal-Spannung ist definiert als der Drain-Source-Einschaltwiderstand, der größer als der Nennwert ist, wenn die Gate-Spannung in der Nähe der Schwellenspannung liegt.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gate-Kapazität: 59.61 Mikrofarad --> 5.961E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-zu-Kanal-Spannung: 7.011 Volt --> 7.011 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

Q_ch = C_g*(V_gc-V_t) --> 5.961E-05*(7.011-0.3)

Auswerten ... ...

Q_ch = 0.00040004271

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00040004271 Coulomb -->0.40004271 Millicoulomb (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.40004271 ≈ 0.400043 Millicoulomb <-- Kanalgebühr

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Body-Effect-Koeffizient

LaTeX Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))

DIBL-Koeffizient

LaTeX Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial

Kanalladung

LaTeX Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)

Kritische Spannung

LaTeX Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

Mehr sehen >>

Kanalladung Formel

LaTeX Gehen

Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)
Q_ch = C_g*(V_gc-V_t)

Wie wird das Langkanalmodell abgeleitet?

Das Langkanalmodell wird in Bezug auf Strom und Spannung (IV) für einen nMOS-Transistor in jedem der Cutoff- oder Subthreshold-, Linear- und Sättigungsbereiche abgeleitet. Das Modell geht davon aus, dass die Kanallänge lang genug ist, dass das laterale elektrische Feld (das Feld zwischen Source und Drain) relativ gering ist, was bei Nanometer-Bauelementen nicht mehr der Fall ist. Dieses Modell ist verschiedentlich als Langkanal-, Ideal-, Erstordnungs- oder Shockley-Modell bekannt.

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