Eingebautes Potenzial Taschenrechner

✖Die thermische Spannung ist die Spannung, die im pn-Übergang erzeugt wird.ⓘ Thermische Spannung [V_t]			+10% -10%
✖Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration der Löcher im Akzeptorzustand.ⓘ Akzeptorkonzentration [N_a]			+10% -10%
✖Die Donorkonzentration ist die Konzentration der Elektronen im Donorzustand.ⓘ Spenderkonzentration [N_d]			+10% -10%
✖Die intrinsische Elektronenkonzentration ist definiert als die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband in intrinsischem Material.ⓘ Intrinsische Elektronenkonzentration [n_i]			+10% -10%

✖Das eingebaute Potenzial ist das Potenzial innerhalb des MOSFET.ⓘ Eingebautes Potenzial [ψ_o]

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Formel

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Eingebautes Potenzial

Formel

ψ o = V t \cdot \ln (\frac{N a \cdot N d}{{n i}^{2}})

Beispiel

18.81808 V = 0.55 V \cdot \ln (\frac{1100 /m³ \cdot 1.9e14 /m³}{17^{2}})

Taschenrechner

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Eingebautes Potenzial Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Eingebautes Potenzial = Thermische Spannung*ln((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Intrinsische Elektronenkonzentration^2))
ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen

Verwendete Funktionen

ln - Der natürliche Logarithmus, auch Logarithmus zur Basis e genannt, ist die Umkehrfunktion der natürlichen Exponentialfunktion., ln(Number)

Verwendete Variablen

Eingebautes Potenzial - (Gemessen in Volt) - Das eingebaute Potenzial ist das Potenzial innerhalb des MOSFET.
Thermische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die thermische Spannung ist die Spannung, die im pn-Übergang erzeugt wird.
Akzeptorkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration der Löcher im Akzeptorzustand.
Spenderkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Donorkonzentration ist die Konzentration der Elektronen im Donorzustand.
Intrinsische Elektronenkonzentration - Die intrinsische Elektronenkonzentration ist definiert als die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband in intrinsischem Material.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Thermische Spannung: 0.55 Volt --> 0.55 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Akzeptorkonzentration: 1100 1 pro Kubikmeter --> 1100 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Spenderkonzentration: 190000000000000 1 pro Kubikmeter --> 190000000000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Intrinsische Elektronenkonzentration: 17 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2)) --> 0.55*ln((1100*190000000000000)/(17^2))

Auswerten ... ...

ψ_o = 18.8180761773197

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

18.8180761773197 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

18.8180761773197 ≈ 18.81808 Volt <-- Eingebautes Potenzial

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Eingebautes Potenzial

Gehen Eingebautes Potenzial = Thermische Spannung*ln((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Intrinsische Elektronenkonzentration^2))

Kapazität Onpath

Gehen Kapazität Onpath = Gesamtkapazität in der Bühne-Kapazität Offpath

Änderung der Frequenzuhr

Gehen Änderung der Taktfrequenz = VCO-Verstärkung*VCO-Steuerspannung

Statischer Strom

Gehen Statischer Strom = Statische Leistung/Basiskollektorspannung

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Eingebautes Potenzial Formel

Eingebautes Potenzial = Thermische Spannung*ln((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Intrinsische Elektronenkonzentration^2))
ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2))

Nach welchem Prinzip funktioniert das MOS-Diffusionskapazitätsmodell?

Ein MOS-Transistor kann als Gerät mit vier Anschlüssen mit Kapazitäten zwischen jedem Anschlusspaar betrachtet werden. Die Gate-Kapazität enthält eine intrinsische Komponente (zu Body, Source und Drain oder Source allein, je nach Betriebsregime) und Überlappungsterme mit Source und Drain. Source und Drain haben eine parasitäre Diffusionskapazität zum Körper.

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