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IGBT
FET
TRIAC
✖
Die Nettopositiveladung (IGBT) ist die Gesamtmenge an positiver Ladung im Gerät.
ⓘ
Positive Nettoladung (IGBT) [N
p(igbt)
]
Ampere-Stunde
Coulomb
ESU des Ladung
Kilooulomb
Milliampere-Stunde
Millicoulomb
Pikocoulomb
Statcoulomb
+10%
-10%
✖
Die Durchbruchspannung (SOA IGBT) ist die maximale Spannung, die an das Gerät angelegt werden kann, ohne dass es ausfällt.
ⓘ
Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung [BV
soa(igbt)
]
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Planck Spannung
Volt
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Schritte
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Formel
LaTeX
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Herunterladen Fortschrittliche Transistorgeräte Formeln Pdf
Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Durchbruchspannung SOA IGBT
= (5.34*10^13)/((
Positive Nettoladung (IGBT)
)^(3/4))
BV
soa(igbt)
= (5.34*10^13)/((
N
p(igbt)
)^(3/4))
Diese formel verwendet
2
Variablen
Verwendete Variablen
Durchbruchspannung SOA IGBT
-
(Gemessen in Volt)
- Die Durchbruchspannung (SOA IGBT) ist die maximale Spannung, die an das Gerät angelegt werden kann, ohne dass es ausfällt.
Positive Nettoladung (IGBT)
-
(Gemessen in Coulomb)
- Die Nettopositiveladung (IGBT) ist die Gesamtmenge an positiver Ladung im Gerät.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Positive Nettoladung (IGBT):
1.6E+16 Coulomb --> 1.6E+16 Coulomb Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
BV
soa(igbt)
= (5.34*10^13)/((N
p(igbt)
)^(3/4)) -->
(5.34*10^13)/((1.6E+16)^(3/4))
Auswerten ... ...
BV
soa(igbt)
= 37.5362834564558
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
37.5362834564558 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
37.5362834564558
≈
37.53628 Volt
<--
Durchbruchspannung SOA IGBT
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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IGBT
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Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung
Credits
Erstellt von
Mohamed Fazil V
Acharya-Institut für Technologie
(AIT)
,
Bengaluru
Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Parminder Singh
Chandigarh-Universität
(KU)
,
Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!
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IGBT Taschenrechner
Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand
LaTeX
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Spannungsabfall EIN-Stufe (IGBT)
=
Durchlassstrom (IGBT)
*
N-Kanal-Widerstand (IGBT)
+
Durchlassstrom (IGBT)
*
Driftfestigkeit (IGBT)
+
Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT)
IGBT-Ausschaltzeit
LaTeX
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Ausschaltzeit (IGBT)
=
Verzögerungszeit (IGBT)
+
Anfängliche Abfallzeit (IGBT)
+
Endgültige Abfallzeit (IGBT)
Eingangskapazität des IGBT
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Eingangskapazität (IGBT)
=
Gate-Emitter-Kapazität (IGBT)
+
Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT)
Emitterstrom des IGBT
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Emitterstrom (IGBT)
=
Löcherstrom (IGBT)
+
Elektronischer Strom (IGBT)
Mehr sehen >>
Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung Formel
LaTeX
Gehen
Durchbruchspannung SOA IGBT
= (5.34*10^13)/((
Positive Nettoladung (IGBT)
)^(3/4))
BV
soa(igbt)
= (5.34*10^13)/((
N
p(igbt)
)^(3/4))
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