Körpertranskonduktanz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Körpertranskonduktanz = Back-Gate-Transkonduktanzparameter*Steilheit
Gmb = χ*Gm
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Körpertranskonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Body Transconductance ist das Produkt aus Transkonduktanz und Backgate-Transkonduktanzparameter.
Back-Gate-Transkonduktanzparameter - Back-Gate-Transkonduktanzparameter im Allgemeinen liegt sein Wert zwischen 0,1 und 0,3 in einem Transistor.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Back-Gate-Transkonduktanzparameter: 0.74 --> Keine Konvertierung erforderlich
Steilheit: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Gmb = χ*Gm --> 0.74*0.00172
Auswerten ... ...
Gmb = 0.0012728
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.0012728 Siemens -->1.2728 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.2728 Millisiemens <-- Körpertranskonduktanz
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Steilheit Taschenrechner

Körpertranskonduktanz
​ LaTeX ​ Gehen Körpertranskonduktanz = Back-Gate-Transkonduktanzparameter*Steilheit
Transkonduktanz von BJT bei Eigenverstärkung
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Körpertranskonduktanz Formel

​LaTeX ​Gehen
Körpertranskonduktanz = Back-Gate-Transkonduktanzparameter*Steilheit
Gmb = χ*Gm

Was ist die Verwendung der Transkonduktanz in MOSFET?

Die Transkonduktanz ist ein Ausdruck der Leistung eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors (FET). Im Allgemeinen ist die Verstärkung (Verstärkung), die es liefern kann, umso größer, je größer die Transkonduktanzzahl für ein Gerät ist, wenn alle anderen Faktoren konstant gehalten werden.

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