Körpereffekt in NMOS Taschenrechner

✖Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.ⓘ Grenzspannung [V_T]			+10% -10%
✖Der Parameter des Herstellungsprozesses ist der Prozess, der mit der Oxidation des Siliziumsubstrats beginnt, bei dem eine relativ dicke Oxidschicht auf der Oberfläche abgeschieden wird.ⓘ Herstellungsprozessparameter [γ]			+10% -10%
✖Physikalische Parameter können verwendet werden, um den Zustand oder Zustand eines physikalischen Systems zu beschreiben oder um die Art und Weise zu charakterisieren, wie das System auf verschiedene Reize oder Eingaben reagiert.ⓘ Physikalischer Parameter [φ_f]			+10% -10%
✖Die Spannung zwischen Körper und Quelle ist wichtig, da sie Auswirkungen auf den sicheren Betrieb elektronischer Geräte haben kann.ⓘ Spannung zwischen Körper und Quelle [V_SB]			+10% -10%

✖Eine Änderung der Schwellenspannung kann durch verschiedene Faktoren verursacht werden, darunter Temperaturänderungen, Strahlungseinwirkung und Alterung.ⓘ Körpereffekt in NMOS [ΔV_th]

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Körpereffekt in NMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Änderung der Schwellenspannung = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter))
ΔV_th = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Änderung der Schwellenspannung - (Gemessen in Volt) - Eine Änderung der Schwellenspannung kann durch verschiedene Faktoren verursacht werden, darunter Temperaturänderungen, Strahlungseinwirkung und Alterung.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.
Herstellungsprozessparameter - Der Parameter des Herstellungsprozesses ist der Prozess, der mit der Oxidation des Siliziumsubstrats beginnt, bei dem eine relativ dicke Oxidschicht auf der Oberfläche abgeschieden wird.
Physikalischer Parameter - (Gemessen in Volt) - Physikalische Parameter können verwendet werden, um den Zustand oder Zustand eines physikalischen Systems zu beschreiben oder um die Art und Weise zu charakterisieren, wie das System auf verschiedene Reize oder Eingaben reagiert.
Spannung zwischen Körper und Quelle - (Gemessen in Volt) - Die Spannung zwischen Körper und Quelle ist wichtig, da sie Auswirkungen auf den sicheren Betrieb elektronischer Geräte haben kann.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Grenzspannung: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Herstellungsprozessparameter: 204 --> Keine Konvertierung erforderlich
Physikalischer Parameter: 13 Volt --> 13 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Spannung zwischen Körper und Quelle: 1.8 Volt --> 1.8 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

ΔV_th = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f)) --> 1.82+204*(sqrt(2*13+1.8)-sqrt(2*13))

Auswerten ... ...

ΔV_th = 37.2244074665399

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

37.2244074665399 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

37.2244074665399 ≈ 37.22441 Volt <-- Änderung der Schwellenspannung

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS

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Was ist die Ursache für Körpereffekte bei NMOS? Was ist Körperbias?

Der Körpereffekt wird verursacht, weil die Spannungsdifferenz zwischen der Quelle und dem Körper die Spannungswandler beeinflusst. Der Körper kann als zweites Gate betrachtet werden, das dabei hilft, zu bestimmen, wie der Transistor ein- und ausgeschaltet wird. Bei der Körpervorspannung werden die Transistorkörper eher mit einem Vorspannungsnetzwerk im Schaltungslayout als mit Strom oder Masse verbunden. Die Körpervorspannung kann von einer externen (Off-Chip) Quelle oder einer internen (On-Chip) Quelle geliefert werden.

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