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✖
Die Schwellenspannung mit Zero Body Bias bezieht sich auf die Schwellenspannung, wenn keine externe Vorspannung an das Halbleitersubstrat (Body-Anschluss) angelegt wird.
ⓘ
Schwellenspannung mit Zero Body Bias [V
th
]
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Planck Spannung
Volt
+10%
-10%
✖
Der Body-Effect-Parameter ist ein Parameter, der die Empfindlichkeit der Schwellenspannung des MOSFET charakterisiert.
ⓘ
Körpereffektparameter [γ]
+10%
-10%
✖
Das Bulk-Fermi-Potenzial ist ein Parameter, der das elektrostatische Potential in der Masse (im Inneren) eines Halbleitermaterials beschreibt.
ⓘ
Bulk-Fermi-Potenzial [Φ
f
]
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Planck Spannung
Volt
+10%
-10%
✖
Die an die Karosserie angelegte Spannung ist die Spannung, die an den Karosserieanschluss angelegt wird. Diese Spannung kann erhebliche Auswirkungen auf das Verhalten und die Leistung des MOSFET haben.
ⓘ
An den Körper angelegte Spannung [V
bs
]
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Planck Spannung
Volt
+10%
-10%
✖
Die Schwellenspannung mit Substrat ist ein entscheidender Parameter, der den Punkt definiert, an dem der Transistor beginnt, Strom von der Source zum Drain zu leiten.
ⓘ
Körpereffekt im MOSFET [V
t
]
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Planck Spannung
Volt
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Schritte
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Formel
LaTeX
Rücksetzen
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Herunterladen MOS-IC-Herstellung Formeln Pdf
Körpereffekt im MOSFET Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Schwellenspannung mit Substrat
=
Schwellenspannung mit Zero Body Bias
+
Körpereffektparameter
*(
sqrt
(2*
Bulk-Fermi-Potenzial
+
An den Körper angelegte Spannung
)-
sqrt
(2*
Bulk-Fermi-Potenzial
))
V
t
=
V
th
+
γ
*(
sqrt
(2*
Φ
f
+
V
bs
)-
sqrt
(2*
Φ
f
))
Diese formel verwendet
1
Funktionen
,
5
Variablen
Verwendete Funktionen
sqrt
- Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)
Verwendete Variablen
Schwellenspannung mit Substrat
-
(Gemessen in Volt)
- Die Schwellenspannung mit Substrat ist ein entscheidender Parameter, der den Punkt definiert, an dem der Transistor beginnt, Strom von der Source zum Drain zu leiten.
Schwellenspannung mit Zero Body Bias
-
(Gemessen in Volt)
- Die Schwellenspannung mit Zero Body Bias bezieht sich auf die Schwellenspannung, wenn keine externe Vorspannung an das Halbleitersubstrat (Body-Anschluss) angelegt wird.
Körpereffektparameter
- Der Body-Effect-Parameter ist ein Parameter, der die Empfindlichkeit der Schwellenspannung des MOSFET charakterisiert.
Bulk-Fermi-Potenzial
-
(Gemessen in Volt)
- Das Bulk-Fermi-Potenzial ist ein Parameter, der das elektrostatische Potential in der Masse (im Inneren) eines Halbleitermaterials beschreibt.
An den Körper angelegte Spannung
-
(Gemessen in Volt)
- Die an die Karosserie angelegte Spannung ist die Spannung, die an den Karosserieanschluss angelegt wird. Diese Spannung kann erhebliche Auswirkungen auf das Verhalten und die Leistung des MOSFET haben.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Schwellenspannung mit Zero Body Bias:
3.4 Volt --> 3.4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Körpereffektparameter:
0.56 --> Keine Konvertierung erforderlich
Bulk-Fermi-Potenzial:
0.25 Volt --> 0.25 Volt Keine Konvertierung erforderlich
An den Körper angelegte Spannung:
2.43 Volt --> 2.43 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
V
t
= V
th
+γ*(sqrt(2*Φ
f
+V
bs
)-sqrt(2*Φ
f
)) -->
3.4+0.56*(
sqrt
(2*0.25+2.43)-
sqrt
(2*0.25))
Auswerten ... ...
V
t
= 3.96258579757846
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
3.96258579757846 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
3.96258579757846
≈
3.962586 Volt
<--
Schwellenspannung mit Substrat
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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Körpereffekt im MOSFET
Credits
Erstellt von
Banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
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MOS-IC-Herstellung Taschenrechner
Körpereffekt im MOSFET
LaTeX
Gehen
Schwellenspannung mit Substrat
=
Schwellenspannung mit Zero Body Bias
+
Körpereffektparameter
*(
sqrt
(2*
Bulk-Fermi-Potenzial
+
An den Körper angelegte Spannung
)-
sqrt
(2*
Bulk-Fermi-Potenzial
))
Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich
LaTeX
Gehen
Stromverbrauch
=
Transkonduktanzparameter
/2*(
Gate-Source-Spannung
-
Schwellenspannung mit Zero Body Bias
)^2*(1+
Modulationsfaktor der Kanallänge
*
Drain-Quellenspannung
)
Kanalwiderstand
LaTeX
Gehen
Kanalwiderstand
=
Transistorlänge
/
Breite des Transistors
*1/(
Elektronenmobilität
*
Trägerdichte
)
MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz
LaTeX
Gehen
Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET
=
Transkonduktanz im MOSFET
/(
Gate-Source-Kapazität
+
Gate-Drain-Kapazität
)
Mehr sehen >>
Körpereffekt im MOSFET Formel
LaTeX
Gehen
Schwellenspannung mit Substrat
=
Schwellenspannung mit Zero Body Bias
+
Körpereffektparameter
*(
sqrt
(2*
Bulk-Fermi-Potenzial
+
An den Körper angelegte Spannung
)-
sqrt
(2*
Bulk-Fermi-Potenzial
))
V
t
=
V
th
+
γ
*(
sqrt
(2*
Φ
f
+
V
bs
)-
sqrt
(2*
Φ
f
))
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