Körpereffekt im MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Schwellenspannung mit Substrat = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial))
Vt = Vth+γ*(sqrt(2*Φf+Vbs)-sqrt(2*Φf))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen
Verwendete Funktionen
sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)
Verwendete Variablen
Schwellenspannung mit Substrat - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung mit Substrat ist ein entscheidender Parameter, der den Punkt definiert, an dem der Transistor beginnt, Strom von der Source zum Drain zu leiten.
Schwellenspannung mit Zero Body Bias - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung mit Zero Body Bias bezieht sich auf die Schwellenspannung, wenn keine externe Vorspannung an das Halbleitersubstrat (Body-Anschluss) angelegt wird.
Körpereffektparameter - Der Body-Effect-Parameter ist ein Parameter, der die Empfindlichkeit der Schwellenspannung des MOSFET charakterisiert.
Bulk-Fermi-Potenzial - (Gemessen in Volt) - Das Bulk-Fermi-Potenzial ist ein Parameter, der das elektrostatische Potential in der Masse (im Inneren) eines Halbleitermaterials beschreibt.
An den Körper angelegte Spannung - (Gemessen in Volt) - Die an die Karosserie angelegte Spannung ist die Spannung, die an den Karosserieanschluss angelegt wird. Diese Spannung kann erhebliche Auswirkungen auf das Verhalten und die Leistung des MOSFET haben.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Schwellenspannung mit Zero Body Bias: 3.4 Volt --> 3.4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Körpereffektparameter: 0.56 --> Keine Konvertierung erforderlich
Bulk-Fermi-Potenzial: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Keine Konvertierung erforderlich
An den Körper angelegte Spannung: 2.43 Volt --> 2.43 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Vt = Vth+γ*(sqrt(2*Φf+Vbs)-sqrt(2*Φf)) --> 3.4+0.56*(sqrt(2*0.25+2.43)-sqrt(2*0.25))
Auswerten ... ...
Vt = 3.96258579757846
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
3.96258579757846 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
3.96258579757846 3.962586 Volt <-- Schwellenspannung mit Substrat
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Körpereffekt im MOSFET
​ LaTeX ​ Gehen Schwellenspannung mit Substrat = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial))
Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich
​ LaTeX ​ Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter/2*(Gate-Source-Spannung-Schwellenspannung mit Zero Body Bias)^2*(1+Modulationsfaktor der Kanallänge*Drain-Quellenspannung)
Kanalwiderstand
​ LaTeX ​ Gehen Kanalwiderstand = Transistorlänge/Breite des Transistors*1/(Elektronenmobilität*Trägerdichte)
MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz
​ LaTeX ​ Gehen Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)

Körpereffekt im MOSFET Formel

​LaTeX ​Gehen
Schwellenspannung mit Substrat = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial))
Vt = Vth+γ*(sqrt(2*Φf+Vbs)-sqrt(2*Φf))
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