Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Basis-Transportfaktor = 1-(1/2*(Physische Breite/Elektronendiffusionslänge)^2)
αT = 1-(1/2*(Wp/Le)^2)
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Basis-Transportfaktor - Der Basistransportfaktor gibt an, welcher Anteil des in die Basis eingespeisten Elektronenstroms tatsächlich den Kollektorübergang erreicht.
Physische Breite - (Gemessen in Meter) - Die physikalische Breite bezieht sich auf die Breite des Kanalbereichs zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen. Diese Kanalbreite bestimmt die Strombelastbarkeit des MOSFET.
Elektronendiffusionslänge - (Gemessen in Meter) - Die Elektronendiffusionslänge ist ein Konzept aus der Halbleiterphysik, das die durchschnittliche Distanz beschreibt, die ein Elektron zurücklegt, bevor es gestreut oder rekombiniert wird.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Physische Breite: 1.532 Meter --> 1.532 Meter Keine Konvertierung erforderlich
Elektronendiffusionslänge: 1.2 Meter --> 1.2 Meter Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
αT = 1-(1/2*(Wp/Le)^2) --> 1-(1/2*(1.532/1.2)^2)
Auswerten ... ...
αT = 0.185061111111111
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.185061111111111 --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.185061111111111 0.185061 <-- Basis-Transportfaktor
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Leitfähigkeit vom N-Typ
​ LaTeX ​ Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))
Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen
​ LaTeX ​ Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)
Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration
​ LaTeX ​ Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)
Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters
​ LaTeX ​ Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite Formel

​LaTeX ​Gehen
Basis-Transportfaktor = 1-(1/2*(Physische Breite/Elektronendiffusionslänge)^2)
αT = 1-(1/2*(Wp/Le)^2)
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