Basis-Emitter-Übergangskapazität Taschenrechner

✖Die Emitter-Basis-Kapazität ist die Kapazität zwischen Emitter und Basis.ⓘ Emitter-Basis-Kapazität [C_eb]

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✖Die Basis-Emitter-Übergangskapazität ist die Kapazität des Übergangs, der in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist und durch eine Diode dargestellt wird.ⓘ Basis-Emitter-Übergangskapazität [C]

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Basis-Emitter-Übergangskapazität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Basis-Emitter-Übergangskapazität = 2*Emitter-Basis-Kapazität
C = 2*C_eb
Diese formel verwendet 2 Variablen

Verwendete Variablen

Basis-Emitter-Übergangskapazität - (Gemessen in Farad) - Die Basis-Emitter-Übergangskapazität ist die Kapazität des Übergangs, der in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist und durch eine Diode dargestellt wird.
Emitter-Basis-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Emitter-Basis-Kapazität ist die Kapazität zwischen Emitter und Basis.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Emitter-Basis-Kapazität: 1.5 Mikrofarad --> 1.5E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C = 2*C_eb --> 2*1.5E-06

Auswerten ... ...

C = 3E-06

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

3E-06 Farad -->3 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

3 Mikrofarad <-- Basis-Emitter-Übergangskapazität

(Berechnung in 00.022 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Kleinsignal-Diffusionskapazität von BJT

LaTeX Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*(Kollektorstrom/Grenzspannung)

Gespeicherte Elektronenladung in der Basis von BJT

LaTeX Gehen Gespeicherte Elektronenladung = Gerätekonstante*Kollektorstrom

Kleinsignal-Diffusionskapazität

LaTeX Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*Steilheit

Basis-Emitter-Übergangskapazität

LaTeX Gehen Basis-Emitter-Übergangskapazität = 2*Emitter-Basis-Kapazität

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Basis-Emitter-Übergangskapazität Formel

LaTeX Gehen

Basis-Emitter-Übergangskapazität = 2*Emitter-Basis-Kapazität
C = 2*C_eb

Was ist BJT und seine Typen?

Ein Bipolartransistor (Bipolartransistor: BJT) besteht aus drei Halbleiterbereichen, die zwei Übergänge bilden. Es gibt zwei Arten von Strukturen: NPN und PNP. Produkte mit NPN bis 800 V und PNP bis -600 V sind erhältlich. Zusätzlich gibt es eingebaute Vorspannungswiderstandstransistoren (BRTs).

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