Basis-Emitter-Übergangskapazität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Basis-Emitter-Übergangskapazität = 2*Emitter-Basis-Kapazität
C = 2*Ceb
Diese formel verwendet 2 Variablen
Verwendete Variablen
Basis-Emitter-Übergangskapazität - (Gemessen in Farad) - Die Basis-Emitter-Übergangskapazität ist die Kapazität des Übergangs, der in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist und durch eine Diode dargestellt wird.
Emitter-Basis-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Emitter-Basis-Kapazität ist die Kapazität zwischen Emitter und Basis.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Emitter-Basis-Kapazität: 1.5 Mikrofarad --> 1.5E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
C = 2*Ceb --> 2*1.5E-06
Auswerten ... ...
C = 3E-06
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
3E-06 Farad -->3 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
3 Mikrofarad <-- Basis-Emitter-Übergangskapazität
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Kleinsignal-Diffusionskapazität von BJT
​ LaTeX ​ Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*(Kollektorstrom/Grenzspannung)
Gespeicherte Elektronenladung in der Basis von BJT
​ LaTeX ​ Gehen Gespeicherte Elektronenladung = Gerätekonstante*Kollektorstrom
Kleinsignal-Diffusionskapazität
​ LaTeX ​ Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*Steilheit
Basis-Emitter-Übergangskapazität
​ LaTeX ​ Gehen Basis-Emitter-Übergangskapazität = 2*Emitter-Basis-Kapazität

Basis-Emitter-Übergangskapazität Formel

​LaTeX ​Gehen
Basis-Emitter-Übergangskapazität = 2*Emitter-Basis-Kapazität
C = 2*Ceb

Was ist BJT und seine Typen?

Ein Bipolartransistor (Bipolartransistor: BJT) besteht aus drei Halbleiterbereichen, die zwei Übergänge bilden. Es gibt zwei Arten von Strukturen: NPN und PNP. Produkte mit NPN bis 800 V und PNP bis -600 V sind erhältlich. Zusätzlich gibt es eingebaute Vorspannungswiderstandstransistoren (BRTs).

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