Basisstrom unter Verwendung des Sättigungsstroms in DC Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)+Sättigungsdampfdruck*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)
IB = (Isat/β)*e^(VBC/Vt)+es*e^(VBC/Vt)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 6 Variablen
Verwendete Konstanten
e - Napier-Konstante Wert genommen als 2.71828182845904523536028747135266249
Verwendete Variablen
Basisstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Basisstrom ist ein entscheidender Strom des Bipolartransistors. Ohne den Basisstrom kann der Transistor nicht einschalten.
Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Gemeinsame Emitterstromverstärkung - Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird durch zwei Faktoren beeinflusst: Breite des Basisbereichs W und relative Dotierungen des Basisbereichs und des Emitterbereichs. Seine Reichweite variiert von 50-200.
Basis-Kollektor-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Basis-Kollektor-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorbereich eines Transistors.
Thermische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.
Sättigungsdampfdruck - (Gemessen in Pascal) - Der Sättigungsdampfdruck an der Wasseroberfläche (mm Quecksilbersäule) ist definiert als der Druck, den ein Dampf im thermodynamischen Gleichgewicht mit seinen kondensierten Phasen bei einer bestimmten Temperatur ausübt.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Sättigungsstrom: 1.675 Milliampere --> 0.001675 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Gemeinsame Emitterstromverstärkung: 65 --> Keine Konvertierung erforderlich
Basis-Kollektor-Spannung: 2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Thermische Spannung: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Sättigungsdampfdruck: 17.54 Millimeter-Quecksilbersäule (0 °C) --> 2338.46788 Pascal (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
IB = (Isat/β)*e^(VBC/Vt)+es*e^(VBC/Vt) --> (0.001675/65)*e^(2/4.7)+2338.46788*e^(2/4.7)
Auswerten ... ...
IB = 3578.80121683189
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
3578.80121683189 Ampere -->3578801.21683189 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
3578801.21683189 3.6E+6 Milliampere <-- Basisstrom
(Berechnung in 00.008 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Basisstrom Taschenrechner

Basisstrom unter Verwendung des Sättigungsstroms in DC
​ LaTeX ​ Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)+Sättigungsdampfdruck*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)
Entladen Sie den aktuellen Geräteparameter
​ LaTeX ​ Gehen Stromverbrauch = 1/2*Steilheit*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung-Grenzspannung)^2*(1+Geräteparameter*Spannung zwischen Drain und Source)
Basisstrom 2 von BJT
​ LaTeX ​ Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*(e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung))
Basisstrom 1 von BJT
​ LaTeX ​ Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Basisstrom unter Verwendung des Sättigungsstroms in DC Formel

​LaTeX ​Gehen
Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)+Sättigungsdampfdruck*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)
IB = (Isat/β)*e^(VBC/Vt)+es*e^(VBC/Vt)

Warum ist der Basisstrom in einem Transistor sehr klein?

Der Basis-Sammelübergang eines Transistors ist in Sperrrichtung vorgespannt. Somit erreichen mehr als 98% des Emitterstroms den Kollektor. Eine sehr kleine Menge von Ladungsträgern erreicht den Kollektor nicht und fließt in den Basisstrom, der den Basisstrom bildet (weniger als 2%).

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