Basisstrom unter Verwendung des Stromverstärkungsfaktors Taschenrechner

✖Der Emitterstrom ist als der Strom definiert, der durch den Emitteranschluss eines Bipolartransistors fließt.ⓘ Emitterstrom [I_e]			+10% -10%
✖Der Stromverstärkungsfaktor in einem BJT-Transistor ist definiert als das Verhältnis des Ausgangsstroms zu seinem Eingangsstrom.ⓘ Aktueller Verstärkungsfaktor [α]			+10% -10%
✖Der Kollektor-Basis-Leckstrom ist ein kleiner Kollektorstrom, der fließt, wenn der Emitter offen ist und die Kollektor-Basis-Verbindung umgekehrt vorgespannt ist.ⓘ Kollektorbasis-Leckstrom [I_cbo]			+10% -10%

✖Der Basisstrom ist der Strom, der durch den Basisanschluss eines Bipolartransistors fließt. Der Basisstrom beträgt bei Kleinsignaltransistoren typischerweise 1 % des Emitter- oder Kollektorstroms.ⓘ Basisstrom unter Verwendung des Stromverstärkungsfaktors [I_b]

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Basisstrom unter Verwendung des Stromverstärkungsfaktors Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Basisstrom = Emitterstrom*(1-Aktueller Verstärkungsfaktor)-Kollektorbasis-Leckstrom
I_b = I_e*(1-α)-I_cbo
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Basisstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Basisstrom ist der Strom, der durch den Basisanschluss eines Bipolartransistors fließt. Der Basisstrom beträgt bei Kleinsignaltransistoren typischerweise 1 % des Emitter- oder Kollektorstroms.
Emitterstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom ist als der Strom definiert, der durch den Emitteranschluss eines Bipolartransistors fließt.
Aktueller Verstärkungsfaktor - Der Stromverstärkungsfaktor in einem BJT-Transistor ist definiert als das Verhältnis des Ausgangsstroms zu seinem Eingangsstrom.
Kollektorbasis-Leckstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektor-Basis-Leckstrom ist ein kleiner Kollektorstrom, der fließt, wenn der Emitter offen ist und die Kollektor-Basis-Verbindung umgekehrt vorgespannt ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Emitterstrom: 2.75 Milliampere --> 0.00275 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Aktueller Verstärkungsfaktor: 0.714 --> Keine Konvertierung erforderlich
Kollektorbasis-Leckstrom: 0.34 Milliampere --> 0.00034 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_b = I_e*(1-α)-I_cbo --> 0.00275*(1-0.714)-0.00034

Auswerten ... ...

I_b = 0.0004465

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0004465 Ampere -->0.4465 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.4465 Milliampere <-- Basisstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Akshada Kulkarni

Nationales Institut für Informationstechnologie (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indien

Team Softusvista hat diesen Rechner und 1100+ weitere Rechner verifiziert!

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Aktueller Verstärkungsfaktor unter Verwendung des Basistransportfaktors

LaTeX Gehen Aktueller Verstärkungsfaktor = Basistransportfaktor/(Basistransportfaktor+1)

Aktueller Verstärkungsfaktor

LaTeX Gehen Aktueller Verstärkungsfaktor = Kollektorstrom/Emitterstrom

Kollektorstrom unter Verwendung des Basistransportfaktors

LaTeX Gehen Kollektorstrom = Basistransportfaktor*Basisstrom

Emitterstrom

LaTeX Gehen Emitterstrom = Basisstrom+Kollektorstrom

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Basisstrom unter Verwendung des Stromverstärkungsfaktors Formel

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Basisstrom = Emitterstrom*(1-Aktueller Verstärkungsfaktor)-Kollektorbasis-Leckstrom
I_b = I_e*(1-α)-I_cbo

Wie berechnet sich der Basisstrom?

Es gibt verschiedene Möglichkeiten, den Basisstrom Ib eines Transistors zu ermitteln. Und alles hängt davon ab, welche Informationen über den Transistor bereits bekannt sind: Wenn der Emitterstrom Ie und α bekannt sind, kann Ib nach folgender Formel berechnet werden: Basisstrom Ib = (1 - Stromverstärkungsfaktor, α) * Emitterstrom eines Transistors.

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