Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms Taschenrechner

✖Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.ⓘ Sättigungsstrom [I_sat]			+10% -10%
✖Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird durch zwei Faktoren beeinflusst: Breite des Basisbereichs W und relative Dotierungen des Basisbereichs und des Emitterbereichs. Seine Reichweite variiert von 50-200.ⓘ Gemeinsame Emitterstromverstärkung [β]			+10% -10%
✖Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.ⓘ Basis-Emitter-Spannung [V_BE]			+10% -10%
✖Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.ⓘ Thermische Spannung [V_t]			+10% -10%

✖Der Basisstrom ist ein entscheidender Strom des Bipolartransistors. Ohne den Basisstrom kann der Transistor nicht einschalten.ⓘ Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms [I_B]

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Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
I_B = (I_sat/β)*e^(V_BE/V_t)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 5 Variablen

Verwendete Konstanten

e - Napier-Konstante Wert genommen als 2.71828182845904523536028747135266249

Verwendete Variablen

Basisstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Basisstrom ist ein entscheidender Strom des Bipolartransistors. Ohne den Basisstrom kann der Transistor nicht einschalten.
Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Gemeinsame Emitterstromverstärkung - Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird durch zwei Faktoren beeinflusst: Breite des Basisbereichs W und relative Dotierungen des Basisbereichs und des Emitterbereichs. Seine Reichweite variiert von 50-200.
Basis-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.
Thermische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Sättigungsstrom: 1.675 Milliampere --> 0.001675 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gemeinsame Emitterstromverstärkung: 65 --> Keine Konvertierung erforderlich
Basis-Emitter-Spannung: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Thermische Spannung: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_B = (I_sat/β)*e^(V_BE/V_t) --> (0.001675/65)*e^(5.15/4.7)

Auswerten ... ...

I_B = 7.70863217186262E-05

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

7.70863217186262E-05 Ampere -->0.0770863217186262 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0770863217186262 ≈ 0.077086 Milliampere <-- Basisstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Basisstrom unter Verwendung des Sättigungsstroms in DC

LaTeX Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)+Sättigungsdampfdruck*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)

Entladen Sie den aktuellen Geräteparameter

LaTeX Gehen Stromverbrauch = 1/2*Steilheit*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung-Grenzspannung)^2*(1+Geräteparameter*Spannung zwischen Drain und Source)

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Gesamtverlustleistung in BJT

LaTeX Gehen Leistung = Kollektor-Emitter-Spannung*Kollektorstrom+Basis-Emitter-Spannung*Basisstrom

Gleichtakt-Ablehnungsverhältnis

LaTeX Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = 20*log10(Differentialmodusverstärkung/Gleichtaktverstärkung)

Basisstromverstärkung

LaTeX Gehen Basisstromverstärkung = Gemeinsame Emitterstromverstärkung/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Eigener Gewinn von BJT

LaTeX Gehen Eigener Gewinn = Frühe Spannung/Thermische Spannung

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Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms Formel

LaTeX Gehen

Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
I_B = (I_sat/β)*e^(V_BE/V_t)

Was sind die Komponenten des Basisstroms?

Der Basisstrom ist auf die Löcher zurückzuführen, die vom Basisbereich in den Emitterbereich injiziert werden. Diese Stromkomponente ist proportional zu e ^ V.

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