Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
IB = Ic/β
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Basisstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Basisstrom ist ein entscheidender Strom des Bipolartransistors. Ohne den Basisstrom kann der Transistor nicht einschalten.
Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Gemeinsame Emitterstromverstärkung - Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird durch zwei Faktoren beeinflusst: Breite des Basisbereichs W und relative Dotierungen des Basisbereichs und des Emitterbereichs. Seine Reichweite variiert von 50-200.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Kollektorstrom: 5 Milliampere --> 0.005 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Gemeinsame Emitterstromverstärkung: 65 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
IB = Ic/β --> 0.005/65
Auswerten ... ...
IB = 7.69230769230769E-05
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
7.69230769230769E-05 Ampere -->0.0769230769230769 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.0769230769230769 0.076923 Milliampere <-- Basisstrom
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Basisstrom Taschenrechner

Basisstrom unter Verwendung des Sättigungsstroms in DC
​ Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)+Sättigungsdampfdruck*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)
Entladen Sie den aktuellen Geräteparameter
​ Gehen Stromverbrauch = 1/2*Steilheit*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung-Grenzspannung)^2*(1+Geräteparameter*Spannung zwischen Drain und Source)
Basisstrom 2 von BJT
​ Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*(e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung))
Basisstrom 1 von BJT
​ Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

BJT-Schaltung Taschenrechner

Gesamtverlustleistung in BJT
​ Gehen Leistung = Kollektor-Emitter-Spannung*Kollektorstrom+Basis-Emitter-Spannung*Basisstrom
Gleichtakt-Ablehnungsverhältnis
​ Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = 20*log10(Differentialmodusverstärkung/Gleichtaktverstärkung)
Basisstromverstärkung
​ Gehen Basisstromverstärkung = Gemeinsame Emitterstromverstärkung/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)
Eigener Gewinn von BJT
​ Gehen Eigener Gewinn = Frühe Spannung/Thermische Spannung

Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom Formel

Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
IB = Ic/β

Was sind die Komponenten des Basisstroms?

Der Basisstrom 2 ist auf die Löcher zurückzuführen, die vom Basisbereich in den Emitterbereich injiziert werden. Diese Stromkomponente ist proportional zu e ^ V.

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