Back-Gate-Transkonduktanz Taschenrechner

✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Steilheit [g_m]			+10% -10%
✖Der Spannungswirkungsgrad ist der Prozentsatz des Verhältnisses von Eingangsspannung zu Ausgangsspannung.ⓘ Spannungseffizienz [η]			+10% -10%

✖Die Back-Gate-Transkonduktanz ist ein Maß für den Strom, der durch einen MOSFET fließt, wenn der Back-Gate-Anschluss geöffnet ist.ⓘ Back-Gate-Transkonduktanz [g_b]

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Back-Gate-Transkonduktanz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Back-Gate-Transkonduktanz = Steilheit*Spannungseffizienz
g_b = g_m*η
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Back-Gate-Transkonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die Back-Gate-Transkonduktanz ist ein Maß für den Strom, der durch einen MOSFET fließt, wenn der Back-Gate-Anschluss geöffnet ist.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Spannungseffizienz - Der Spannungswirkungsgrad ist der Prozentsatz des Verhältnisses von Eingangsspannung zu Ausgangsspannung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Spannungseffizienz: 0.6 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

g_b = g_m*η --> 0.0005*0.6

Auswerten ... ...

g_b = 0.0003

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0003 Siemens --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0003 Siemens <-- Back-Gate-Transkonduktanz

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)