✖Mit der Zeit für den Übergang des Ausgangs von hoch auf niedrig ist die Dauer gemeint, die ein Signal am Ausgangsanschluss eines Geräts oder Schaltkreises benötigt, um von einem Hochspannungspegel auf einen Niedrigspannungspegel zu wechseln.ⓘ Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig [ζ_PHL]			+10% -10%
✖Mit der Zeit für den Übergang des Ausgangs von niedrig auf hoch ist die Dauer gemeint, die ein Signal am Ausgangsanschluss eines Geräts oder Schaltkreises benötigt, um von einem niedrigen Spannungspegel auf einen hohen Spannungspegel zu wechseln.ⓘ Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch [ζ_PLH]			+10% -10%

✖Die durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung ist die Zeit, die ein Signal benötigt, um vom Eingang zum Ausgang einer digitalen Schaltung zu gelangen, gemittelt über mehrere Übergänge oder Vorgänge.ⓘ Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung CMOS [ζ_P]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung CMOS

Formel

`"ζ"_{"P"} = ("ζ"_{"PHL"}+"ζ"_{"PLH"})/2`

Beispiel

`"0.004236ns"=("0.00229ns"+"0.006182ns")/2`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen CMOS-Wechselrichter Formeln Pdf PDF Image

Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung CMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung = (Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig+Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch)/2
ζ_P = (ζ_PHL+ζ_PLH)/2
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung - (Gemessen in Zweite) - Die durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung ist die Zeit, die ein Signal benötigt, um vom Eingang zum Ausgang einer digitalen Schaltung zu gelangen, gemittelt über mehrere Übergänge oder Vorgänge.
Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig - (Gemessen in Zweite) - Mit der Zeit für den Übergang des Ausgangs von hoch auf niedrig ist die Dauer gemeint, die ein Signal am Ausgangsanschluss eines Geräts oder Schaltkreises benötigt, um von einem Hochspannungspegel auf einen Niedrigspannungspegel zu wechseln.
Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch - (Gemessen in Zweite) - Mit der Zeit für den Übergang des Ausgangs von niedrig auf hoch ist die Dauer gemeint, die ein Signal am Ausgangsanschluss eines Geräts oder Schaltkreises benötigt, um von einem niedrigen Spannungspegel auf einen hohen Spannungspegel zu wechseln.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig: 0.00229 Nanosekunde --> 2.29E-12 Zweite (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch: 0.006182 Nanosekunde --> 6.182E-12 Zweite (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

ζ_P = (ζ_PHL+ζ_PLH)/2 --> (2.29E-12+6.182E-12)/2

Auswerten ... ...

ζ_P = 4.236E-12

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

4.236E-12 Zweite -->0.004236 Nanosekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.004236 Nanosekunde <-- Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » CMOS-Design und Anwendungen » CMOS-Wechselrichter » Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung CMOS

Credits

Erstellt von Priyanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

< 16 CMOS-Wechselrichter Taschenrechner

Ausbreitungsverzögerung für Übergangs-CMOS von niedriger zu hoher Ausgangsleistung

Gehen Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch = (Inverter-CMOS-Lastkapazität/(Steilheit von PMOS*(Versorgungsspannung-abs(Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias))))*(((2*abs(Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias))/(Versorgungsspannung-abs(Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias)))+ln((4*(Versorgungsspannung-abs(Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias))/Versorgungsspannung)-1))

Ausbreitungsverzögerung für CMOS mit Übergang von hoher zu niedriger Ausgangsleistung

Gehen Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig = (Inverter-CMOS-Lastkapazität/(Steilheit von NMOS*(Versorgungsspannung-Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias)))*((2*Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias/(Versorgungsspannung-Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias))+ln((4*(Versorgungsspannung-Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias)/Versorgungsspannung)-1))

Widerstandslast, minimale Ausgangsspannung CMOS

Gehen Ohmsche Last Minimale Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Null-Bias-Schwellenspannung+(1/(Steilheit von NMOS*Lastwiderstand))-sqrt((Versorgungsspannung-Null-Bias-Schwellenspannung+(1/(Steilheit von NMOS*Lastwiderstand)))^2-(2*Versorgungsspannung/(Steilheit von NMOS*Lastwiderstand)))

Maximale Eingangsspannung CMOS

Gehen Maximale Eingangsspannung CMOS = (2*Ausgangsspannung für maximalen Eingang+(Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias)-Versorgungsspannung+Steilheitsverhältnis*Schwellenspannung von NMOS ohne Body-Bias)/(1+Steilheitsverhältnis)

Schwellenspannung CMOS

Gehen Grenzspannung = (Schwellenspannung von NMOS ohne Body-Bias+sqrt(1/Steilheitsverhältnis)*(Versorgungsspannung+(Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias)))/(1+sqrt(1/Steilheitsverhältnis))

Widerstandslast, minimale Eingangsspannung CMOS

Gehen Minimale Eingangsspannung der ohmschen Last = Null-Bias-Schwellenspannung+sqrt((8*Versorgungsspannung)/(3*Steilheit von NMOS*Lastwiderstand))-(1/(Steilheit von NMOS*Lastwiderstand))

Minimale Eingangsspannung CMOS

Gehen Minimale Eingangsspannung = (Versorgungsspannung+(Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias)+Steilheitsverhältnis*(2*Ausgangsspannung+Schwellenspannung von NMOS ohne Body-Bias))/(1+Steilheitsverhältnis)

Lastkapazität des kaskadierten Inverter-CMOS

Gehen Inverter-CMOS-Lastkapazität = PMOS-Gate-Drain-Kapazität+NMOS-Gate-Drain-Kapazität+PMOS-Drain-Massenkapazität+NMOS-Drain-Massenkapazität+Interne Kapazität des Inverter-CMOS+Inverter-CMOS-Gate-Kapazität

Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung CMOS

Gehen Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung = (Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig+Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch)/2

Widerstandslast Maximale Eingangsspannung CMOS

Gehen Ohmsche Last Maximale Eingangsspannung CMOS = Null-Bias-Schwellenspannung+(1/(Steilheit von NMOS*Lastwiderstand))

Durchschnittliche Verlustleistung CMOS

Gehen Durchschnittliche Verlustleistung = Inverter-CMOS-Lastkapazität*(Versorgungsspannung)^2*Frequenz

Maximale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS

Gehen Maximale Eingangsspannung Symmetrisches CMOS = (3*Versorgungsspannung+2*Schwellenspannung von NMOS ohne Body-Bias)/8

Minimale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS

Gehen Minimale Eingangsspannung Symmetrisches CMOS = (5*Versorgungsspannung-2*Schwellenspannung von NMOS ohne Body-Bias)/8

Schwingungsperiode Ringoszillator CMOS

Gehen Schwingungsdauer = 2*Anzahl der Stufen Ringoszillator*Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung

Rauschmarge für Hochsignal-CMOS

Gehen Rauschabstand für hohe Signale = Maximale Ausgangsspannung-Minimale Eingangsspannung

Transkonduktanzverhältnis CMOS

Gehen Steilheitsverhältnis = Steilheit von NMOS/Steilheit von PMOS

Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung CMOS Formel

Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung = (Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig+Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch)/2
ζ_P = (ζ_PHL+ζ_PLH)/2

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!