Durchschnittliche Diodentemperatur unter Verwendung von Einseitenbandrauschen Taschenrechner

✖Rauschzahl Eine Einseitenband-Definition entspricht einer Situation, in der das Eingangsrauschen der Quelle bei der Spiegelfrequenz vollständig vom Eingangsanschluss des Mischers ausgeschlossen wird.ⓘ Rauschzahl des Einseitenbands [F_ssb]			+10% -10%
✖Der Ausgangswiderstand des Signalgenerators ist ein wichtiger Betriebsparameter, der den Signalgenerator zur Stromerzeugung steuert, wenn er als Stromquelle verwendet wird.ⓘ Ausgangswiderstand des Signalgenerators [R_g]			+10% -10%
✖Umgebungstemperatur ist die Umgebungstemperatur.ⓘ Umgebungstemperatur [T₀]			+10% -10%
✖Der Diodenwiderstand kann als der effektive Widerstand definiert werden, den die Diode dem Stromfluss entgegensetzt.ⓘ Diodenwiderstand [R_d]			+10% -10%

✖Die Diodentemperatur ist das Maß für die Wärme, die in der Diode vorzugsweise in einer Richtung fließen soll.ⓘ Durchschnittliche Diodentemperatur unter Verwendung von Einseitenbandrauschen [T_d]

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Formel

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Durchschnittliche Diodentemperatur unter Verwendung von Einseitenbandrauschen

Formel

T d = (F ssb - 2) \cdot (\frac{R g \cdot T 0}{2 \cdot R d})

Beispiel

289.9286 K = (14.3 dB - 2) \cdot (\frac{33 Ω \cdot 300 K}{2 \cdot 210 Ω})

Taschenrechner

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Durchschnittliche Diodentemperatur unter Verwendung von Einseitenbandrauschen Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Diodentemperatur = (Rauschzahl des Einseitenbands-2)*((Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur)/(2*Diodenwiderstand))
T_d = (F_ssb-2)*((R_g*T₀)/(2*R_d))
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Diodentemperatur - (Gemessen in Kelvin) - Die Diodentemperatur ist das Maß für die Wärme, die in der Diode vorzugsweise in einer Richtung fließen soll.
Rauschzahl des Einseitenbands - (Gemessen in Dezibel) - Rauschzahl Eine Einseitenband-Definition entspricht einer Situation, in der das Eingangsrauschen der Quelle bei der Spiegelfrequenz vollständig vom Eingangsanschluss des Mischers ausgeschlossen wird.
Ausgangswiderstand des Signalgenerators - (Gemessen in Ohm) - Der Ausgangswiderstand des Signalgenerators ist ein wichtiger Betriebsparameter, der den Signalgenerator zur Stromerzeugung steuert, wenn er als Stromquelle verwendet wird.
Umgebungstemperatur - (Gemessen in Kelvin) - Umgebungstemperatur ist die Umgebungstemperatur.
Diodenwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Diodenwiderstand kann als der effektive Widerstand definiert werden, den die Diode dem Stromfluss entgegensetzt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Rauschzahl des Einseitenbands: 14.3 Dezibel --> 14.3 Dezibel Keine Konvertierung erforderlich
Ausgangswiderstand des Signalgenerators: 33 Ohm --> 33 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Umgebungstemperatur: 300 Kelvin --> 300 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich
Diodenwiderstand: 210 Ohm --> 210 Ohm Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

T_d = (F_ssb-2)*((R_g*T₀)/(2*R_d)) --> (14.3-2)*((33*300)/(2*210))

Auswerten ... ...

T_d = 289.928571428571

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

289.928571428571 Kelvin --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

289.928571428571 ≈ 289.9286 Kelvin <-- Diodentemperatur

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Durchschnittliche Diodentemperatur unter Verwendung von Einseitenbandrauschen Formel

Diodentemperatur = (Rauschzahl des Einseitenbands-2)*((Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur)/(2*Diodenwiderstand))
T_d = (F_ssb-2)*((R_g*T₀)/(2*R_d))

Was ist ein Homo-Junction-Transistor?

Wenn der Transistorübergang durch zwei ähnliche Materialien wie Silizium-zu-Silizium oder Germanium-zu-Germanium verbunden ist, wird er als Homo-Übergangstransistor bezeichnet.

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