Bereich der Quellendiffusion Taschenrechner

✖Die Länge der Quelle ist definiert als die Gesamtlänge, die am Quellenübergang des MOSFET beobachtet wird.ⓘ Länge der Quelle [D_s]			+10% -10%
✖Die Übergangsbreite ist definiert als die Zunahme der Breite, wenn die Drain-Source-Spannung zunimmt, was dazu führt, dass der Triodenbereich in den Sättigungsbereich übergeht.ⓘ Übergangsbreite [W]			+10% -10%

✖Der Bereich der Quelldiffusion ist definiert als die Nettobewegung von allem von einem Bereich höherer Konzentration zu einem Bereich niedrigerer Konzentration im Quelltor.ⓘ Bereich der Quellendiffusion [A_s]

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Bereich der Quellendiffusion Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Bereich der Quellendiffusion = Länge der Quelle*Übergangsbreite
A_s = D_s*W
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Bereich der Quellendiffusion - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Bereich der Quelldiffusion ist definiert als die Nettobewegung von allem von einem Bereich höherer Konzentration zu einem Bereich niedrigerer Konzentration im Quelltor.
Länge der Quelle - (Gemessen in Meter) - Die Länge der Quelle ist definiert als die Gesamtlänge, die am Quellenübergang des MOSFET beobachtet wird.
Übergangsbreite - (Gemessen in Meter) - Die Übergangsbreite ist definiert als die Zunahme der Breite, wenn die Drain-Source-Spannung zunimmt, was dazu führt, dass der Triodenbereich in den Sättigungsbereich übergeht.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Länge der Quelle: 61 Millimeter --> 0.061 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Übergangsbreite: 89.82 Millimeter --> 0.08982 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

A_s = D_s*W --> 0.061*0.08982

Auswerten ... ...

A_s = 0.00547902

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00547902 Quadratmeter -->5479.02 Quadratmillimeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5479.02 Quadratmillimeter <-- Bereich der Quellendiffusion

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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CMOS mittlerer freier Pfad

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Bereich der Quellendiffusion = Länge der Quelle*Übergangsbreite
A_s = D_s*W

Was können Sie über den Dopingprozess bei CMOS sagen?

Beim Dotieren im CMOS werden Verunreinigungen in das Halbleitermaterial eingebracht, um dessen elektrische Eigenschaften zu verändern. Dieser Prozess kann die Leistung von CMOS-Geräten verbessern, indem er den Widerstand verringert, die Mobilität erhöht und die Isolierung zwischen verschiedenen Komponenten verbessert. Die Dotierung kann mithilfe verschiedener Techniken erfolgen, darunter Implantation und Diffusion.

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