Speicherbereich mit N Bits Taschenrechner

✖Der Bereich einer Ein-Bit-Speicherzelle ist als Speicherzelle definiert, bei der es sich um eine elektronische Schaltung handelt, die ein Bit binärer Informationen speichert. Es muss zum Speichern einer logischen 1 eingestellt und zum Speichern einer logischen 0 zurückgesetzt werden.ⓘ Bereich einer Ein-Bit-Speicherzelle [A_bit]			+10% -10%
✖Die absolute Häufigkeit ist die Häufigkeit des Vorkommens eines bestimmten Datenpunkts in einem Datensatz. Es stellt die tatsächliche Anzahl oder Gesamtzahl dar, wie oft ein bestimmter Wert in den Daten vorkommt.ⓘ Absolute Frequenz [f_abs]			+10% -10%
✖Die Array-Effizienz ist definiert als die Bitzellengröße geteilt durch den ACPB. Um diese Metrik unabhängig vom Technologieknoten zu normalisieren.ⓘ Array-Effizienz [E]			+10% -10%

✖Die Fläche der Speicherzelle ist definiert als die Gesamtfläche, die von N Speicherbits belegt wird.ⓘ Speicherbereich mit N Bits [A]

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Speicherbereich mit N Bits Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Bereich der Gedächtniszelle = (Bereich einer Ein-Bit-Speicherzelle*Absolute Frequenz)/Array-Effizienz
A = (A_bit*f_abs)/E
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Bereich der Gedächtniszelle - (Gemessen in Quadratmeter) - Die Fläche der Speicherzelle ist definiert als die Gesamtfläche, die von N Speicherbits belegt wird.
Bereich einer Ein-Bit-Speicherzelle - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Bereich einer Ein-Bit-Speicherzelle ist als Speicherzelle definiert, bei der es sich um eine elektronische Schaltung handelt, die ein Bit binärer Informationen speichert. Es muss zum Speichern einer logischen 1 eingestellt und zum Speichern einer logischen 0 zurückgesetzt werden.
Absolute Frequenz - (Gemessen in Hertz) - Die absolute Häufigkeit ist die Häufigkeit des Vorkommens eines bestimmten Datenpunkts in einem Datensatz. Es stellt die tatsächliche Anzahl oder Gesamtzahl dar, wie oft ein bestimmter Wert in den Daten vorkommt.
Array-Effizienz - Die Array-Effizienz ist definiert als die Bitzellengröße geteilt durch den ACPB. Um diese Metrik unabhängig vom Technologieknoten zu normalisieren.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Bereich einer Ein-Bit-Speicherzelle: 47.72 Quadratmillimeter --> 4.772E-05 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Absolute Frequenz: 10 Hertz --> 10 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Array-Effizienz: 0.88 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

A = (A_bit*f_abs)/E --> (4.772E-05*10)/0.88

Auswerten ... ...

A = 0.000542272727272727

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.000542272727272727 Quadratmeter -->542.272727272727 Quadratmillimeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

542.272727272727 ≈ 542.2727 Quadratmillimeter <-- Bereich der Gedächtniszelle

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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'XOR'-Verzögerung

LaTeX Gehen XOR-Verzögerung = Ripple-Zeit-(Ausbreitungsverzögerung+(Gates auf kritischem Weg-1)*UND-ODER-Gate-Verzögerung)

Kritische Pfadverzögerung des Carry-Ripple-Addierers

LaTeX Gehen Ripple-Zeit = Ausbreitungsverzögerung+(Gates auf kritischem Weg-1)*UND-ODER-Gate-Verzögerung+XOR-Verzögerung

Erdkapazität

LaTeX Gehen Erdkapazität = ((Angreiferspannung*Angrenzende Kapazität)/Opferspannung)-Angrenzende Kapazität

N-Bit Carry-Skip-Addierer

LaTeX Gehen N-Bit-Carry-Skip-Addierer = N-Eingang UND Tor*K-Eingang UND Tor

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Speicherbereich mit N Bits Formel

LaTeX Gehen

Bereich der Gedächtniszelle = (Bereich einer Ein-Bit-Speicherzelle*Absolute Frequenz)/Array-Effizienz
A = (A_bit*f_abs)/E

Welche Bedeutung haben ras und cas im SDRAM?

SDRAM empfängt seinen Adressbefehl in zwei Adresswörtern. Es verwendet ein Multiplexschema, um Eingangsstifte zu speichern. Das erste Adresswort wird mit dem Zeilenadressen-Strobe (RAS) in den DRAM-Chip zwischengespeichert. Dem RAS-Befehl folgt der Spaltenadressen-Strobe (CAS) zum Zwischenspeichern des zweiten Adressworts. Kurz nach den RAS- und CAS-Strobes werden die gespeicherten Daten gespeichert gültig zum Lesen.

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