Bereich der Speicherzelle Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Bereich einer Ein-Bit-Speicherzelle = (Array-Effizienz*Bereich der Gedächtniszelle)/Absolute Frequenz
Abit = (E*A)/fabs
Diese formel verwendet 4 Variablen
Verwendete Variablen
Bereich einer Ein-Bit-Speicherzelle - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Bereich einer Ein-Bit-Speicherzelle ist als Speicherzelle definiert, bei der es sich um eine elektronische Schaltung handelt, die ein Bit binärer Informationen speichert. Es muss zum Speichern einer logischen 1 eingestellt und zum Speichern einer logischen 0 zurückgesetzt werden.
Array-Effizienz - Die Array-Effizienz ist definiert als die Bitzellengröße geteilt durch den ACPB. Um diese Metrik unabhängig vom Technologieknoten zu normalisieren.
Bereich der Gedächtniszelle - (Gemessen in Quadratmeter) - Die Fläche der Speicherzelle ist definiert als die Gesamtfläche, die von N Speicherbits belegt wird.
Absolute Frequenz - (Gemessen in Hertz) - Die absolute Häufigkeit ist die Häufigkeit des Vorkommens eines bestimmten Datenpunkts in einem Datensatz. Es stellt die tatsächliche Anzahl oder Gesamtzahl dar, wie oft ein bestimmter Wert in den Daten vorkommt.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Array-Effizienz: 0.88 --> Keine Konvertierung erforderlich
Bereich der Gedächtniszelle: 542.27 Quadratmillimeter --> 0.00054227 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Absolute Frequenz: 10 Hertz --> 10 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Abit = (E*A)/fabs --> (0.88*0.00054227)/10
Auswerten ... ...
Abit = 4.771976E-05
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
4.771976E-05 Quadratmeter -->47.71976 Quadratmillimeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
47.71976 Quadratmillimeter <-- Bereich einer Ein-Bit-Speicherzelle
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Array-Datenpfad-Subsystem Taschenrechner

'XOR'-Verzögerung
​ LaTeX ​ Gehen XOR-Verzögerung = Ripple-Zeit-(Ausbreitungsverzögerung+(Gates auf kritischem Weg-1)*UND-ODER-Gate-Verzögerung)
Kritische Pfadverzögerung des Carry-Ripple-Addierers
​ LaTeX ​ Gehen Ripple-Zeit = Ausbreitungsverzögerung+(Gates auf kritischem Weg-1)*UND-ODER-Gate-Verzögerung+XOR-Verzögerung
Erdkapazität
​ LaTeX ​ Gehen Erdkapazität = ((Angreiferspannung*Angrenzende Kapazität)/Opferspannung)-Angrenzende Kapazität
N-Bit Carry-Skip-Addierer
​ LaTeX ​ Gehen N-Bit-Carry-Skip-Addierer = N-Eingang UND Tor*K-Eingang UND Tor

Bereich der Speicherzelle Formel

​LaTeX ​Gehen
Bereich einer Ein-Bit-Speicherzelle = (Array-Effizienz*Bereich der Gedächtniszelle)/Absolute Frequenz
Abit = (E*A)/fabs

Welche Bedeutung haben ras und cas im SDRAM?

SDRAM empfängt seinen Adressbefehl in zwei Adresswörtern. Es verwendet ein Multiplexschema, um Eingangsstifte zu speichern. Das erste Adresswort wird mit dem Zeilenadressen-Strobe (RAS) in den DRAM-Chip zwischengespeichert. Dem RAS-Befehl folgt der Spaltenadressen-Strobe (CAS) zum Zwischenspeichern des zweiten Adressworts. Kurz nach den RAS- und CAS-Strobes werden die gespeicherten Daten gespeichert gültig zum Lesen.

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