Dotierstoffkonzentration des Akzeptors Taschenrechner

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✖Die Transistorlänge bezieht sich auf die Länge des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.ⓘ Transistorlänge [L_t]			+10% -10%
✖Die Transistorbreite bezieht sich auf die Breite des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.ⓘ Breite des Transistors [W_t]			+10% -10%
✖Die Lochmobilität stellt die Fähigkeit dieser Ladungsträger dar, sich als Reaktion auf ein elektrisches Feld zu bewegen.ⓘ Lochmobilität [μ_p]			+10% -10%
✖Die Kapazität der Verarmungsschicht pro Flächeneinheit ist die Kapazität der Verarmungsschicht pro Flächeneinheit.ⓘ Kapazität der Sperrschicht [C_dep]			+10% -10%

✖Die Dotierstoffkonzentration des Akzeptors ist die Beweglichkeit der Ladungsträger (in diesem Fall Löcher) und die Abmessungen des Halbleiterbauelements.ⓘ Dotierstoffkonzentration des Akzeptors [N_a]

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Formel

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Dotierstoffkonzentration des Akzeptors

Formel

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot L t \cdot W t \cdot [Charge-e] \cdot μ p \cdot C dep}

Beispiel

1E+32 electrons/m³ = \frac{1}{2 \cdot π \cdot 3.2 μm \cdot 5.5 μm \cdot [Charge-e] \cdot 400 m²/V*s \cdot 1.4 μF}

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Dotierstoffkonzentration des Akzeptors Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Dotierstoffkonzentration des Akzeptors = 1/(2*pi*Transistorlänge*Breite des Transistors*[Charge-e]*Lochmobilität*Kapazität der Sperrschicht)
N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep)
Diese formel verwendet 2 Konstanten, 5 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288

Verwendete Variablen

Dotierstoffkonzentration des Akzeptors - (Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter) - Die Dotierstoffkonzentration des Akzeptors ist die Beweglichkeit der Ladungsträger (in diesem Fall Löcher) und die Abmessungen des Halbleiterbauelements.
Transistorlänge - (Gemessen in Meter) - Die Transistorlänge bezieht sich auf die Länge des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.
Breite des Transistors - (Gemessen in Meter) - Die Transistorbreite bezieht sich auf die Breite des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.
Lochmobilität - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Lochmobilität stellt die Fähigkeit dieser Ladungsträger dar, sich als Reaktion auf ein elektrisches Feld zu bewegen.
Kapazität der Sperrschicht - (Gemessen in Farad) - Die Kapazität der Verarmungsschicht pro Flächeneinheit ist die Kapazität der Verarmungsschicht pro Flächeneinheit.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transistorlänge: 3.2 Mikrometer --> 3.2E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Breite des Transistors: 5.5 Mikrometer --> 5.5E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Lochmobilität: 400 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde --> 400 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Kapazität der Sperrschicht: 1.4 Mikrofarad --> 1.4E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep) --> 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06)

Auswerten ... ...

N_a = 1.00788050957133E+32

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.00788050957133E+32 Elektronen pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.00788050957133E+32 ≈ 1E+32 Elektronen pro Kubikmeter <-- Dotierstoffkonzentration des Akzeptors

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Körpereffekt im MOSFET

Gehen Schwellenspannung mit Substrat = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial))

Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter/2*(Gate-Source-Spannung-Schwellenspannung mit Zero Body Bias)^2*(1+Modulationsfaktor der Kanallänge*Drain-Quellenspannung)

Ausbreitungszeit

Gehen Ausbreitungszeit = 0.7*Anzahl der Durchgangstransistoren*((Anzahl der Durchgangstransistoren+1)/2)*Widerstand im MOSFET*Lastkapazität

Kanalwiderstand

Gehen Kanalwiderstand = Transistorlänge/Breite des Transistors*1/(Elektronenmobilität*Trägerdichte)

MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz

Gehen Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)

Dotierstoffkonzentration des Akzeptors Formel

Dotierstoffkonzentration des Akzeptors = 1/(2*pi*Transistorlänge*Breite des Transistors*[Charge-e]*Lochmobilität*Kapazität der Sperrschicht)
N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep)

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