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Akzeptorkonzentration Taschenrechner

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SSD-Verbindung Elektronen und Löcher Energieband und Ladungsträger Halbleiterträger

✖Die Gesamtakzeptorladung bezieht sich auf die Gesamtnettoladung, die mit den Akzeptoratomen in einem Halbleitermaterial oder -gerät verbunden ist.ⓘ Gesamtakzeptanzgebühr [\|Q\|]			+10% -10%
✖Ladungseindringung vom N-Typ bezieht sich auf das Phänomen, bei dem zusätzliche Elektronen von Dotierstoffatomen, typischerweise Phosphor oder Arsen, in das Kristallgitter des Halbleitermaterials eindringen.ⓘ Ladungsdurchdringung N-Typ [x_no]			+10% -10%
✖Der Übergangsbereich ist der Grenz- oder Grenzflächenbereich zwischen zwei Arten von Halbleitermaterialien in einer pn-Diode.ⓘ Kreuzungsbereich [A_j]			+10% -10%

✖Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration eines Akzeptor- oder Dotierstoffatoms, das beim Einsetzen in ein Halbleitergitter einen p-Typ-Bereich bildet.ⓘ Akzeptorkonzentration [N_a]

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Akzeptorkonzentration Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Akzeptorkonzentration = Gesamtakzeptanzgebühr/([Charge-e]*Ladungsdurchdringung N-Typ*Kreuzungsbereich)
N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 4 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Variablen

Akzeptorkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration eines Akzeptor- oder Dotierstoffatoms, das beim Einsetzen in ein Halbleitergitter einen p-Typ-Bereich bildet.
Gesamtakzeptanzgebühr - (Gemessen in Coulomb) - Die Gesamtakzeptorladung bezieht sich auf die Gesamtnettoladung, die mit den Akzeptoratomen in einem Halbleitermaterial oder -gerät verbunden ist.
Ladungsdurchdringung N-Typ - (Gemessen in Meter) - Ladungseindringung vom N-Typ bezieht sich auf das Phänomen, bei dem zusätzliche Elektronen von Dotierstoffatomen, typischerweise Phosphor oder Arsen, in das Kristallgitter des Halbleitermaterials eindringen.
Kreuzungsbereich - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Übergangsbereich ist der Grenz- oder Grenzflächenbereich zwischen zwei Arten von Halbleitermaterialien in einer pn-Diode.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gesamtakzeptanzgebühr: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Keine Konvertierung erforderlich
Ladungsdurchdringung N-Typ: 0.019 Mikrometer --> 1.9E-08 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kreuzungsbereich: 5401.3 Quadratmikrometer --> 5.4013E-09 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j) --> 13/([Charge-e]*1.9E-08*5.4013E-09)

Auswerten ... ...

N_a = 7.90644149770933E+35

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

7.90644149770933E+35 1 pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

7.90644149770933E+35 ≈ 7.9E+35 1 pro Kubikmeter <-- Akzeptorkonzentration

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Sperrschichtkapazität

LaTeX Gehen Sperrschichtkapazität = (Kreuzungsbereich/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Konstanter Längenversatz*Dopingkonzentration der Base)/(Quellenspannung-Quellenspannung 1))

Serienwiderstand im P-Typ

LaTeX Gehen Reihenwiderstand im P-Übergang = ((Quellenspannung-Sperrschichtspannung)/Elektrischer Strom)-Serienwiderstand im N-Übergang

Sperrschichtspannung

LaTeX Gehen Sperrschichtspannung = Quellenspannung-(Reihenwiderstand im P-Übergang+Serienwiderstand im N-Übergang)*Elektrischer Strom

N-Typ-Breite

LaTeX Gehen Ladungsdurchdringung N-Typ = Gesamtakzeptanzgebühr/(Kreuzungsbereich*Akzeptorkonzentration*[Charge-e])

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Akzeptorkonzentration Formel

LaTeX Gehen

Akzeptorkonzentration = Gesamtakzeptanzgebühr/([Charge-e]*Ladungsdurchdringung N-Typ*Kreuzungsbereich)
N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j)

Wie hoch sind die Elektronen- und Lochkonzentrationen?

Die Elektronenkonzentration nimmt zu, wenn sich FE dem Leitungsband nähert. für FE um mehrere kT größer als v E . Aus diesen Gleichungen ergibt sich die Konzentration von Löchern im Valenzband. Somit nimmt die Lochkonzentration zu, wenn sich FE näher an das Valenzband bewegt.

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