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   Fabricação de IC MOS PDF
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Gatilho Schmitt
Fórmulas : 15   Tamanho : 304 kb

Conteúdo do PDF Fabricação de IC MOS

Lista de 15 Fabricação de IC MOS Fórmulas

Concentração de dopante aceitante
​Vai
Concentração de dopante doador
​Vai
Concentração Máxima de Dopante
​Vai
Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação
​Vai
Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos
​Vai
Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres
​Vai
Dimensão crítica
​Vai
Efeito Corporal no MOSFET
​Vai
Espessura de Óxido Equivalente
​Vai
Frequência de ganho unitário MOSFET
​Vai
Morrer por wafer
​Vai
Profundidade de foco
​Vai
Resistência do Canal
​Vai
Tempo de propagação
​Vai
Tensão do ponto de comutação
​Vai

Variáveis usadas no PDF Fabricação de IC MOS

  1. Cdep Capacitância da camada de esgotamento (Microfarad)
  2. Cgd Capacitância de drenagem do portão (Microfarad)
  3. Cgs Capacitância da Fonte da Porta (Microfarad)
  4. Cl Capacitância de Carga (Microfarad)
  5. Co Concentração de Referência
  6. Cs Concentração Máxima de Dopante (Elétrons por Centímetro Cúbico)
  7. CD Dimensão crítica (Nanômetro)
  8. dw Diâmetro da bolacha (Milímetro)
  9. DOF Profundidade de foco (Micrômetro)
  10. DPW Morrer por wafer
  11. Ei Intensidade do Campo Elétrico (Volt por Metro)
  12. Es Energia de ativação para solubilidade sólida (Joule)
  13. EOT Espessura de Óxido Equivalente (Nanômetro)
  14. ft Frequência de ganho unitário em MOSFET (Quilohertz)
  15. gm Transcondutância em MOSFET (Siemens)
  16. Id Corrente de drenagem (Ampere)
  17. Isat Corrente de saturação (Ampere)
  18. Jn Densidade de corrente de deriva devido a elétrons (Microampère)
  19. Jp Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos (Ampère por Milímetro Quadrado)
  20. k1 Constante Dependente do Processo
  21. k2 Fator de Proporcionalidade
  22. khigh-k Constante dielétrica do material
  23. Lt Comprimento do transistor (Micrômetro)
  24. n Concentração de elétrons (Elétrons por Centímetro Cúbico)
  25. N Número de transistores de passagem
  26. Na Concentração de dopante aceitante (Elétrons por metro cúbico)
  27. Nd Concentração de dopante doador (Elétrons por metro cúbico)
  28. NA Abertura numerica
  29. p Concentração de Buraco (Elétrons por metro cúbico)
  30. Qon Densidade de portadora (Elétrons por metro cúbico)
  31. Rch Resistência do Canal (Ohm)
  32. Rm Resistência em MOSFET (Ohm)
  33. Sd Tamanho de cada dado (Milimetros Quadrados)
  34. Ta Temperatura absoluta (Kelvin)
  35. thigh-k Espessura do Material (Nanômetro)
  36. Tp Tempo de propagação (Segundo)
  37. Vbs Tensão aplicada ao corpo (Volt)
  38. Vdd Tensão de alimentação (Volt)
  39. Vds Tensão da fonte de drenagem (Volt)
  40. Vgs Tensão da Fonte da Porta (Volt)
  41. Vs Tensão do ponto de comutação (Volt)
  42. Vt Tensão Limite com Substrato (Volt)
  43. Vth Tensão limite com polarização corporal zero (Volt)
  44. Vtn Tensão limite NMOS (Volt)
  45. Vtp Tensão limite do PMOS (Volt)
  46. Wt Largura do transistor (Micrômetro)
  47. β Parâmetro de Transcondutância (Siemens)
  48. βn Ganho do transistor NMOS
  49. βp Ganho do transistor PMOS
  50. γ Parâmetro de efeito corporal
  51. λi Fator de modulação de comprimento de canal
  52. λl Comprimento de onda em fotolitografia (Nanômetro)
  53. μn Mobilidade Eletrônica (Metro quadrado por volt por segundo)
  54. μp Mobilidade do Buraco (Metro quadrado por volt por segundo)
  55. Φf Potencial de Fermi em massa (Volt)

Constantes, funções e medidas usadas em Fabricação de IC MOS PDF

  1. Constante: [Charge-e], 1.60217662E-19
    Carga do elétron
  2. Constante: pi, 3.14159265358979323846264338327950288
    Constante de Arquimedes
  3. Constante: [BoltZ], 1.38064852E-23
    Constante de Boltzmann
  4. Função: exp, exp(Number)
    Em uma função exponencial, o valor da função muda por um fator constante para cada mudança unitária na variável independente.
  5. Função: sqrt, sqrt(Number)
    Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.
  6. Medição: Comprimento in Micrômetro (μm), Nanômetro (nm), Milímetro (mm)
    Comprimento Conversão de unidades
  7. Medição: Tempo in Segundo (s)
    Tempo Conversão de unidades
  8. Medição: Corrente elétrica in Ampere (A), Microampère (µA)
    Corrente elétrica Conversão de unidades
  9. Medição: Temperatura in Kelvin (K)
    Temperatura Conversão de unidades
  10. Medição: Área in Milimetros Quadrados (mm²)
    Área Conversão de unidades
  11. Medição: Energia in Joule (J)
    Energia Conversão de unidades
  12. Medição: Frequência in Quilohertz (kHz)
    Frequência Conversão de unidades
  13. Medição: Capacitância in Microfarad (μF)
    Capacitância Conversão de unidades
  14. Medição: Resistência Elétrica in Ohm (Ω)
    Resistência Elétrica Conversão de unidades
  15. Medição: Condutância Elétrica in Siemens (S)
    Condutância Elétrica Conversão de unidades
  16. Medição: Comprimento de onda in Nanômetro (nm), Micrômetro (μm)
    Comprimento de onda Conversão de unidades
  17. Medição: Densidade de Corrente de Superfície in Ampère por Milímetro Quadrado (A/mm²)
    Densidade de Corrente de Superfície Conversão de unidades
  18. Medição: Força do Campo Elétrico in Volt por Metro (V/m)
    Força do Campo Elétrico Conversão de unidades
  19. Medição: Potencial elétrico in Volt (V)
    Potencial elétrico Conversão de unidades
  20. Medição: Mobilidade in Metro quadrado por volt por segundo (m²/V*s)
    Mobilidade Conversão de unidades
  21. Medição: Densidade Eletrônica in Elétrons por metro cúbico (electrons/m³), Elétrons por Centímetro Cúbico (electrons/cm³)
    Densidade Eletrônica Conversão de unidades
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