Kalkulator A do Z
🔍
Pobierać PDF
Chemia
Inżynieria
Budżetowy
Zdrowie
Matematyka
Fizyka
Spadek procentowy
Pomnóż ułamek
NWD trzy liczby
Ulepszenie kanału N Kalkulator
Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Matematyka
Plac zabaw
Zdrowie
↳
Elektronika
Cywilny
Elektronika i oprzyrządowanie
Elektryczny
Inżynieria chemiczna
Inżynieria materiałowa
Inżynieria produkcji
Mechaniczny
⤿
Elektronika analogowa
Antena i propagacja fal
Cyfrowe przetwarzanie obrazu
EDC
Elektronika mocy
Inżynieria telewizyjna
Komunikacja analogowa
Komunikacja bezprzewodowa
Komunikacja cyfrowa
Komunikacja satelitarna
Linia transmisyjna i antena
Mikroelektronika RF
Produkcja VLSI
Projekt światłowodu
Projektowanie i zastosowania CMOS
Sygnał i systemy
System radarowy
System sterowania
Telekomunikacyjne systemy przełączające
Teoria informacji i kodowanie
Teoria mikrofalowa
Teoria pola elektromagnetycznego
Transmisja światłowodowa
Układy scalone (IC)
Urządzenia optoelektroniczne
Urządzenia półprzewodnikowe
Wbudowany system
Wzmacniacze
⤿
MOSFET
BJT
⤿
Ulepszenie kanału N
Aktualny
Analiza małych sygnałów
Charakterystyka MOSFET-u
Napięcie
Opór
Stronniczy
Transkonduktancja
Tranzystor MOS
Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości
Współczynnik odrzucenia sygnału wspólnego (CMRR)
Współczynnik wzmocnienia lub wzmocnienie
Wzmocnienie kanału P
Ulepszenie kanału N Kalkulatory
Bieżący terminal wlotowy spustu NMOS
Iść
Całkowita moc dostarczona w NMOS
Iść
Całkowita moc rozpraszana w NMOS
Iść
Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS
Iść
Efekt ciała w NMOS
Iść
NMOS jako rezystancja liniowa
Iść
Parametr procesu produkcyjnego NMOS
Iść
Pojemność tlenkowa NMOS
Iść
Prąd drenu podany w NMOS Działa jako źródło prądu sterowane napięciem
Iść
Prąd spustowy, gdy NMOS działa jako źródło prądu sterowane napięciem
Iść
Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie nasycenia NMOS
Iść
Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS
Iść
Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki
Iść
Prąd wchodzący do źródła drenu na granicy obszaru nasycenia i triody NMOS
Iść
Prąd wejściowy dren-źródło w obszarze nasycenia NMOS przy danym efektywnym napięciu
Iść
Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS
Iść
Rezystancja wyjściowa źródła prądu NMOS przy danym prądzie drenu
Iść
Pobierać MOSFET Formułę PDF
Jesteś tutaj
-
Dom
»
Inżynieria
»
Elektronika
»
MOSFET
»
Elektronika analogowa
»
Ulepszenie kanału N
Ulepszenie kanału N
Efekt ciała w NMOS
Prąd wchodzący do źródła drenu na granicy obszaru nasycenia i triody NMOS
Bieżący terminal wlotowy spustu NMOS
Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki
Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie nasycenia NMOS
Prąd wejściowy dren-źródło w obszarze nasycenia NMOS przy danym efektywnym napięciu
Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS
Prąd drenu podany w NMOS Działa jako źródło prądu sterowane napięciem
Prąd spustowy, gdy NMOS działa jako źródło prądu sterowane napięciem
Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS
Parametr procesu produkcyjnego NMOS
NMOS jako rezystancja liniowa
Rezystancja wyjściowa źródła prądu NMOS przy danym prądzie drenu
Pojemność tlenkowa NMOS
Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS
Całkowita moc rozpraszana w NMOS
Całkowita moc dostarczona w NMOS
Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍
Szukaj
Kategorie
Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!