Tranzystor MOS Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Matematyka Plac zabaw Zdrowie

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Inżynieria chemiczna Inżynieria materiałowa Inżynieria produkcji Mechaniczny

⤿

MOSFET BJT

⤿

Tranzystor MOS Aktualny Analiza małych sygnałów Charakterystyka MOSFET-u Napięcie Opór Stronniczy Transkonduktancja Ulepszenie kanału N Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości Współczynnik odrzucenia sygnału wspólnego (CMRR)Współczynnik wzmocnienia lub wzmocnienie Wzmocnienie kanału P

Tranzystor MOS Kalkulatory

Czas nasycenia

Iść

Funkcja pracy w MOSFET-ie

Iść

Gęstość ładunku w regionie wyczerpania

Iść

Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem

Iść

Maksymalna głębokość wyczerpania

Iść

Napięcie węzła w danym przypadku

Iść

Opóźnienie czasowe, gdy NMOS działa w obszarze liniowym

Iść

Pociągnij w dół prąd w obszarze liniowym

Iść

Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości

Iść

Potencjał Fermiego dla typu N

Iść

Potencjał Fermiego dla typu P

Iść

Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS

Iść

Prąd drenu w obszarze nasycenia tranzystora MOS

Iść

Region głębokości wyczerpania powiązany ze źródłem

Iść

Równoważna duża pojemność sygnału

Iść

Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

Iść

Średnia moc rozproszona w danym okresie czasu

Iść

Wbudowany potencjał w regionie wyczerpania

Iść

Współczynnik odchylenia podłoża

Iść

Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

Iść

Zmniejsz prąd w obszarze nasycenia

Iść

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image