Rekenmachines A tot Z
🔍
Downloaden PDF
Chemie
Engineering
Financieel
Gezondheid
Wiskunde
Fysica
Percentage stijging
Gemengde fractie
GGD rekenmachine
MOS-transistor Rekenmachine
Engineering
Chemie
Financieel
Fysica
Gezondheid
Speelplaats
Wiskunde
↳
Elektronica
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Elektronica en instrumentatie
Materiaal kunde
Mechanisch
Productie Engineering
⤿
Analoge elektronica
Analoge communicatie
Antenne- en golfvoortplanting
CMOS-ontwerp en toepassingen
Controle systeem
Digitale beeldverwerking
Digitale communicatie
Draadloze communicatie
EDC
Elektromagnetische veldtheorie
Geïntegreerde schakelingen (IC)
Glasvezeltransmissie
Informatietheorie en codering
Ingebouwd systeem
Magnetron theorie
Ontwerp van optische vezels
Opto-elektronica-apparaten
Radarsysteem
RF-micro-elektronica
Satellietcommunicatie
Schakelsystemen voor telecommunicatie
Signaal en systemen
Solid State-apparaten
Televisie techniek
Transmissielijn en antenne
Vermogenselektronica
Versterkers
VLSI-fabricage
⤿
MOSFET
BJT
⤿
MOS-transistor
Common Mode-afwijzingsratio (CMRR)
Huidig
Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model
Kleine signaalanalyse
MOSFET-karakteristieken
N-kanaalverbetering
P Kanaalverbetering
Spanning
Transconductantie
Versterkingsfactor of winst
Vooringenomen
Weerstand
MOS-transistor Rekenmachines
Afvoerstroom die door de MOS-transistor vloeit
Gaan
Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor
Gaan
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met afvoer
Gaan
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron
Gaan
Equivalente grote signaalcapaciteit
Gaan
Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit
Gaan
Equivalentiefactor voor zijwandspanning
Gaan
Fermi-potentieel voor N-type
Gaan
Fermi-potentieel voor P-type
Gaan
Gemiddeld vermogen dat in de loop van de tijd wordt gedissipeerd
Gaan
Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio
Gaan
Knooppuntspanning bij gegeven instantie
Gaan
Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied
Gaan
Maximale uitputtingsdiepte
Gaan
Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid
Gaan
Substraat bias-coëfficiënt
Gaan
Tijdvertraging wanneer NMOS in een lineair gebied werkt
Gaan
Trek de stroom in het lineaire gebied naar beneden
Gaan
Trek de stroom in het verzadigingsgebied naar beneden
Gaan
Verzadigingstijd
Gaan
Werkfunctie in MOSFET
Gaan
Downloaden MOSFET Formule Pdf
Je bevindt je hier
-
Huis
»
Engineering
»
Elektronica
»
MOSFET
»
Analoge elektronica
»
MOS-transistor
MOS-transistor
Gemiddeld vermogen dat in de loop van de tijd wordt gedissipeerd
Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio
Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met afvoer
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron
Afvoerstroom die door de MOS-transistor vloeit
Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor
Equivalente grote signaalcapaciteit
Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit
Fermi-potentieel voor N-type
Fermi-potentieel voor P-type
Maximale uitputtingsdiepte
Knooppuntspanning bij gegeven instantie
Trek de stroom in het lineaire gebied naar beneden
Trek de stroom in het verzadigingsgebied naar beneden
Verzadigingstijd
Equivalentiefactor voor zijwandspanning
Substraat bias-coëfficiënt
Tijdvertraging wanneer NMOS in een lineair gebied werkt
Werkfunctie in MOSFET
Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid
Huis
VRIJ PDF's
🔍
Zoeken
Categorieën
Delen
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!