चालू स्थितीत IGBT मध्ये व्होल्टेज ड्रॉप उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
स्टेजवर व्होल्टेज ड्रॉप (IGBT) = फॉरवर्ड करंट (IGBT)*एन चॅनल रेझिस्टन्स (IGBT)+फॉरवर्ड करंट (IGBT)*ड्रिफ्ट रेझिस्टन्स (IGBT)+व्होल्टेज Pn जंक्शन 1 (IGBT)
VON(igbt) = if(igbt)*Rch(igbt)+if(igbt)*Rd(igbt)+Vj1(igbt)
हे सूत्र 5 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
स्टेजवर व्होल्टेज ड्रॉप (IGBT) - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - व्होल्टेज ड्रॉप ऑन स्टेज (IGBT) हा IGBT चालू असताना कलेक्टर आणि एमिटर टर्मिनल्समधील व्होल्टेज फरक आहे. हे उपकरणातील अर्धसंवाहक साहित्य आहे.
फॉरवर्ड करंट (IGBT) - (मध्ये मोजली अँपिअर) - फॉरवर्ड करंट (IGBT) हा जास्तीत जास्त करंट आहे जो डिव्हाइस चालू असताना त्यातून वाहू शकतो.
एन चॅनल रेझिस्टन्स (IGBT) - (मध्ये मोजली ओहम) - N चॅनल रेझिस्टन्स (IGBT) हा IGBT चालू असताना यंत्रातील सेमीकंडक्टर सामग्रीचा प्रतिकार असतो.
ड्रिफ्ट रेझिस्टन्स (IGBT) - (मध्ये मोजली ओहम) - ड्रिफ्ट रेझिस्टन्स (IGBT) हा उपकरणातील सेमीकंडक्टर मटेरियलचा एन-ड्रिफ्ट प्रदेश आहे. एन-ड्रिफ्ट प्रदेश हा एक जाड डोप केलेला सिलिकॉन आहे जो कलेक्टरला पी-बेस क्षेत्रापासून वेगळे करतो.
व्होल्टेज Pn जंक्शन 1 (IGBT) - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - व्होल्टेज Pn जंक्शन 1 (IGBT) हे जंक्शनवर अस्तित्वात असलेल्या संभाव्य अडथळ्यामुळे होते. हा संभाव्य अडथळा जंक्शन ओलांडून चार्ज वाहकांच्या प्रसारामुळे तयार होतो.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
फॉरवर्ड करंट (IGBT): 1.69 मिलीअँपिअर --> 0.00169 अँपिअर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
एन चॅनल रेझिस्टन्स (IGBT): 10.59 किलोहम --> 10590 ओहम (रूपांतरण तपासा ​येथे)
ड्रिफ्ट रेझिस्टन्स (IGBT): 0.98 किलोहम --> 980 ओहम (रूपांतरण तपासा ​येथे)
व्होल्टेज Pn जंक्शन 1 (IGBT): 0.7 व्होल्ट --> 0.7 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
VON(igbt) = if(igbt)*Rch(igbt)+if(igbt)*Rd(igbt)+Vj1(igbt) --> 0.00169*10590+0.00169*980+0.7
मूल्यांकन करत आहे ... ...
VON(igbt) = 20.2533
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
20.2533 व्होल्ट --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंतिम उत्तर
20.2533 व्होल्ट <-- स्टेजवर व्होल्टेज ड्रॉप (IGBT)
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
आचार्य इन्स्टिट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजी (AIT), बेंगळुरू
मोहम्मद फाझिल व्ही यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित परमिंदर सिंग
चंदीगड विद्यापीठ (CU), पंजाब
परमिंदर सिंग यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 500+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

IGBT कॅल्क्युलेटर

चालू स्थितीत IGBT मध्ये व्होल्टेज ड्रॉप
​ जा स्टेजवर व्होल्टेज ड्रॉप (IGBT) = फॉरवर्ड करंट (IGBT)*एन चॅनल रेझिस्टन्स (IGBT)+फॉरवर्ड करंट (IGBT)*ड्रिफ्ट रेझिस्टन्स (IGBT)+व्होल्टेज Pn जंक्शन 1 (IGBT)
IGBT बंद करण्याची वेळ
​ जा बंद करण्याची वेळ (IGBT) = विलंब वेळ (IGBT)+प्रारंभिक पतन वेळ (IGBT)+फायनल फॉल टाईम (IGBT)
IGBT ची इनपुट क्षमता
​ जा इनपुट कॅपेसिटन्स (IGBT) = गेट टू एमिटर कॅपेसिटन्स (IGBT)+गेट टू कलेक्टर कॅपेसिटन्स (IGBT)
IGBT चा उत्सर्जक करंट
​ जा एमिटर करंट (IGBT) = होल करंट (IGBT)+इलेक्ट्रॉनिक वर्तमान (IGBT)

चालू स्थितीत IGBT मध्ये व्होल्टेज ड्रॉप सुत्र

स्टेजवर व्होल्टेज ड्रॉप (IGBT) = फॉरवर्ड करंट (IGBT)*एन चॅनल रेझिस्टन्स (IGBT)+फॉरवर्ड करंट (IGBT)*ड्रिफ्ट रेझिस्टन्स (IGBT)+व्होल्टेज Pn जंक्शन 1 (IGBT)
VON(igbt) = if(igbt)*Rch(igbt)+if(igbt)*Rd(igbt)+Vj1(igbt)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!