मसावि कॅल्क्युलेटर

थर च्या शीट प्रतिकार कॅल्क्युलेटर

अभियांत्रिकी आरोग्य आर्थिक खेळाचे मैदान अधिक >>

↳

इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन उत्पादन अभियांत्रिकी दिवाणी अधिक >>

⤿

इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC)CMOS डिझाइन आणि अनुप्रयोग अँटेना आणि वेव्ह प्रोपोगेशन अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स अधिक >>

⤿

बायपोलर आयसी फॅब्रिकेशन एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन श्मिट ट्रिगर

✖पदार्थाच्या एककाचे वैशिष्ट्य चार्ज करा जे प्रोटॉनपेक्षा जास्त किंवा कमी इलेक्ट्रॉन आहेत हे व्यक्त करते.ⓘ चार्ज करा [q]			+10% -10%
✖इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी हे वैशिष्ट्य दर्शवते की इलेक्ट्रॉन विद्युत क्षेत्राद्वारे खेचल्यावर धातू किंवा सेमीकंडक्टरमधून किती वेगाने फिरू शकतो.ⓘ इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी [μ_n]			+10% -10%
✖एन-टाइपची समतोल एकाग्रता दात्याच्या अणूंच्या घनतेइतकी असते कारण वहनासाठी इलेक्ट्रॉन्स केवळ दात्याच्या अणूद्वारे दिले जातात.ⓘ एन-टाइपची समतोल एकाग्रता [N_d]			+10% -10%
✖भिंतीची रचना योग्य प्रमाणात सामग्रीसह तयार केली गेली आहे हे सुनिश्चित करण्यासाठी लेयरची जाडी बहुतेक वेळा कास्ट केलेल्या भागांच्या निर्मितीसाठी वापरली जाते.ⓘ लेयरची जाडी [t]			+10% -10%

✖शीट रेझिस्टन्स म्हणजे चौकोनाच्या दोन विरुद्ध बाजूंना बनवलेल्या संपर्कांसह पातळ पदार्थाच्या चौरस तुकड्याचा प्रतिकार.ⓘ थर च्या शीट प्रतिकार [R_s]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

थर च्या शीट प्रतिकार

सुत्र

R s = \frac{1}{q \cdot μ n \cdot N d \cdot t}

उदाहरण

0.116377 Ω = \frac{1}{5 mC \cdot 0.38 cm²/V*s \cdot 45 /cm³ \cdot 100.5 cm}

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC) सुत्र PDF PDF Image

थर च्या शीट प्रतिकार उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

पत्रक प्रतिकार = 1/(चार्ज करा*इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*एन-टाइपची समतोल एकाग्रता*लेयरची जाडी)
R_s = 1/(q*μ_n*N_d*t)
हे सूत्र 5 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

पत्रक प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - शीट रेझिस्टन्स म्हणजे चौकोनाच्या दोन विरुद्ध बाजूंना बनवलेल्या संपर्कांसह पातळ पदार्थाच्या चौरस तुकड्याचा प्रतिकार.
चार्ज करा - (मध्ये मोजली कुलम्ब ) - पदार्थाच्या एककाचे वैशिष्ट्य चार्ज करा जे प्रोटॉनपेक्षा जास्त किंवा कमी इलेक्ट्रॉन आहेत हे व्यक्त करते.
इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी हे वैशिष्ट्य दर्शवते की इलेक्ट्रॉन विद्युत क्षेत्राद्वारे खेचल्यावर धातू किंवा सेमीकंडक्टरमधून किती वेगाने फिरू शकतो.
एन-टाइपची समतोल एकाग्रता - (मध्ये मोजली 1 प्रति घनमीटर) - एन-टाइपची समतोल एकाग्रता दात्याच्या अणूंच्या घनतेइतकी असते कारण वहनासाठी इलेक्ट्रॉन्स केवळ दात्याच्या अणूद्वारे दिले जातात.
लेयरची जाडी - (मध्ये मोजली मीटर) - भिंतीची रचना योग्य प्रमाणात सामग्रीसह तयार केली गेली आहे हे सुनिश्चित करण्यासाठी लेयरची जाडी बहुतेक वेळा कास्ट केलेल्या भागांच्या निर्मितीसाठी वापरली जाते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

चार्ज करा: 5 मिलिकुलॉम्ब --> 0.005 कुलम्ब (रूपांतरण तपासा येथे)
इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी: 0.38 चौरस सेंटीमीटर प्रति व्होल्ट सेकंद --> 3.8E-05 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद (रूपांतरण तपासा येथे)
एन-टाइपची समतोल एकाग्रता: 45 1 प्रति घन सेंटीमीटर --> 45000000 1 प्रति घनमीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
लेयरची जाडी: 100.5 सेंटीमीटर --> 1.005 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

R_s = 1/(q*μ_n*N_d*t) --> 1/(0.005*3.8E-05*45000000*1.005)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

R_s = 0.116377178435309

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.116377178435309 ओहम --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

0.116377178435309 ≈ 0.116377 ओहम <-- पत्रक प्रतिकार

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC) » बायपोलर आयसी फॅब्रिकेशन » थर च्या शीट प्रतिकार

जमा

ने निर्मित राहुल गुप्ता

चंदीगड विद्यापीठ (CU), मोहाली, पंजाब

राहुल गुप्ता यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 25+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित परमिंदर सिंग

चंदीगड विद्यापीठ (CU), पंजाब

परमिंदर सिंग यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 500+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< बायपोलर आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर

N-प्रकारची चालकता

जा ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*एन-टाइपची समतोल एकाग्रता+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*(आंतरिक एकाग्रता^2/एन-टाइपची समतोल एकाग्रता))

अशुद्धतेची ओमिक चालकता

जा ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*भोक एकाग्रता)

कलेक्टर एमिटरचे ब्रेकआउट व्होल्टेज

जा कलेक्टर एमिटर ब्रेकआउट व्होल्टेज = कलेक्टर बेस ब्रेकआउट व्होल्टेज/(BJT चा सध्याचा फायदा)^(1/रूट क्रमांक)

आंतरिक एकाग्रतेसह अशुद्धता

जा आंतरिक एकाग्रता = sqrt((इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*भोक एकाग्रता)/तापमान अशुद्धता)

अजून पहा >>