अशुद्धतेची ओमिक चालकता उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*भोक एकाग्रता)
σ = q*(μn*ne+μp*p)
हे सूत्र 6 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
ओमिक चालकता - (मध्ये मोजली सीमेन्स / मीटर) - विद्युत प्रवाहाचा प्रवाह पार करण्यासाठी सामग्रीच्या क्षमतेचे मोजमाप म्हणजे ओमिक चालकता. विद्युत चालकता एका सामग्रीपासून दुसर्यामध्ये भिन्न असते.
चार्ज करा - (मध्ये मोजली कुलम्ब ) - पदार्थाच्या एककाचे वैशिष्ट्य चार्ज करा जे प्रोटॉनपेक्षा जास्त किंवा कमी इलेक्ट्रॉन आहेत हे व्यक्त करते.
इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी हे वैशिष्ट्य दर्शवते की इलेक्ट्रॉन विद्युत क्षेत्राद्वारे खेचल्यावर धातू किंवा सेमीकंडक्टरमधून किती वेगाने फिरू शकतो.
इलेक्ट्रॉन एकाग्रता - (मध्ये मोजली 1 प्रति घनमीटर) - इलेक्ट्रॉन एकाग्रतेवर तापमान, अशुद्धता किंवा सेमीकंडक्टर सामग्रीमध्ये जोडलेले डोपेंट आणि बाह्य विद्युत किंवा चुंबकीय क्षेत्रे यासारख्या विविध घटकांचा प्रभाव पडतो.
भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - होल डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी म्हणजे लागू विद्युत क्षेत्राच्या उपस्थितीत धातू किंवा सेमीकंडक्टरमधून प्रवास करण्याची छिद्राची क्षमता.
भोक एकाग्रता - (मध्ये मोजली 1 प्रति घनमीटर) - छिद्र एकाग्रतेचा अर्थ सामग्रीमध्ये उपलब्ध चार्ज वाहकांची संख्या जास्त आहे, ज्यामुळे त्याची चालकता आणि विविध सेमीकंडक्टर उपकरण प्रभावित होतात.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
चार्ज करा: 5 मिलिकुलॉम्ब --> 0.005 कुलम्ब (रूपांतरण तपासा ​येथे)
इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी: 0.38 चौरस सेंटीमीटर प्रति व्होल्ट सेकंद --> 3.8E-05 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद (रूपांतरण तपासा ​येथे)
इलेक्ट्रॉन एकाग्रता: 50.6 1 प्रति घन सेंटीमीटर --> 50600000 1 प्रति घनमीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता: 2.4 चौरस सेंटीमीटर प्रति व्होल्ट सेकंद --> 0.00024 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद (रूपांतरण तपासा ​येथे)
भोक एकाग्रता: 0.69 1 प्रति घन सेंटीमीटर --> 690000 1 प्रति घनमीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
σ = q*(μn*nep*p) --> 0.005*(3.8E-05*50600000+0.00024*690000)
मूल्यांकन करत आहे ... ...
σ = 10.442
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
10.442 सीमेन्स / मीटर -->0.10442 म्हो / सेंटीमीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
0.10442 म्हो / सेंटीमीटर <-- ओमिक चालकता
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित राहुल गुप्ता
चंदीगड विद्यापीठ (CU), मोहाली, पंजाब
राहुल गुप्ता यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 25+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित परमिंदर सिंग
चंदीगड विद्यापीठ (CU), पंजाब
परमिंदर सिंग यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 500+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

बायपोलर आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर

N-प्रकारची चालकता
​ जा ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*एन-टाइपची समतोल एकाग्रता+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*(आंतरिक एकाग्रता^2/एन-टाइपची समतोल एकाग्रता))
अशुद्धतेची ओमिक चालकता
​ जा ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*भोक एकाग्रता)
कलेक्टर एमिटरचे ब्रेकआउट व्होल्टेज
​ जा कलेक्टर एमिटर ब्रेकआउट व्होल्टेज = कलेक्टर बेस ब्रेकआउट व्होल्टेज/(BJT चा सध्याचा फायदा)^(1/रूट क्रमांक)
आंतरिक एकाग्रतेसह अशुद्धता
​ जा आंतरिक एकाग्रता = sqrt((इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*भोक एकाग्रता)/तापमान अशुद्धता)

अशुद्धतेची ओमिक चालकता सुत्र

ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*भोक एकाग्रता)
σ = q*(μn*ne+μp*p)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!