दोन संख्या चे मसावि

N-प्रकारची चालकता कॅल्क्युलेटर

अभियांत्रिकी आरोग्य आर्थिक खेळाचे मैदान अधिक >>

↳

इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन उत्पादन अभियांत्रिकी दिवाणी अधिक >>

⤿

इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC)CMOS डिझाइन आणि अनुप्रयोग अँटेना आणि वेव्ह प्रोपोगेशन अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स अधिक >>

⤿

बायपोलर आयसी फॅब्रिकेशन एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन श्मिट ट्रिगर

✖पदार्थाच्या एककाचे वैशिष्ट्य चार्ज करा जे प्रोटॉनपेक्षा जास्त किंवा कमी इलेक्ट्रॉन आहेत हे व्यक्त करते.ⓘ चार्ज करा [q]			+10% -10%
✖इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी हे वैशिष्ट्य दर्शवते की इलेक्ट्रॉन विद्युत क्षेत्राद्वारे खेचल्यावर धातू किंवा सेमीकंडक्टरमधून किती वेगाने फिरू शकतो.ⓘ इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी [μ_n]			+10% -10%
✖एन-टाइपची समतोल एकाग्रता दात्याच्या अणूंच्या घनतेइतकी असते कारण वहनासाठी इलेक्ट्रॉन्स केवळ दात्याच्या अणूद्वारे दिले जातात.ⓘ एन-टाइपची समतोल एकाग्रता [N_d]			+10% -10%
✖होल डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी म्हणजे लागू विद्युत क्षेत्राच्या उपस्थितीत धातू किंवा सेमीकंडक्टरमधून प्रवास करण्याची छिद्राची क्षमता.ⓘ भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता [μ_p]			+10% -10%
✖आंतरिक एकाग्रता म्हणजे वहन बँडमधील इलेक्ट्रॉनची संख्या किंवा आंतरिक सामग्रीमधील व्हॅलेन्स बँडमधील छिद्रांची संख्या.ⓘ आंतरिक एकाग्रता [n_i]			+10% -10%

✖विद्युत प्रवाहाचा प्रवाह पार करण्यासाठी सामग्रीच्या क्षमतेचे मोजमाप म्हणजे ओमिक चालकता. विद्युत चालकता एका सामग्रीपासून दुसर्यामध्ये भिन्न असते.ⓘ N-प्रकारची चालकता [σ]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

N-प्रकारची चालकता

सुत्र

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

उदाहरण

0.085965 mho/cm = 5 mC \cdot (0.38 cm²/V*s \cdot 45 /cm³ + 2.4 cm²/V*s \cdot (\frac{{1.32 /cm³}^{2}}{45 /cm³}))

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC) सुत्र PDF PDF Image

N-प्रकारची चालकता उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*एन-टाइपची समतोल एकाग्रता+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*(आंतरिक एकाग्रता^2/एन-टाइपची समतोल एकाग्रता))
σ = q*(μ_n*N_d+μ_p*(n_i^2/N_d))
हे सूत्र 6 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

ओमिक चालकता - (मध्ये मोजली सीमेन्स / मीटर) - विद्युत प्रवाहाचा प्रवाह पार करण्यासाठी सामग्रीच्या क्षमतेचे मोजमाप म्हणजे ओमिक चालकता. विद्युत चालकता एका सामग्रीपासून दुसर्यामध्ये भिन्न असते.
चार्ज करा - (मध्ये मोजली कुलम्ब ) - पदार्थाच्या एककाचे वैशिष्ट्य चार्ज करा जे प्रोटॉनपेक्षा जास्त किंवा कमी इलेक्ट्रॉन आहेत हे व्यक्त करते.
इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी हे वैशिष्ट्य दर्शवते की इलेक्ट्रॉन विद्युत क्षेत्राद्वारे खेचल्यावर धातू किंवा सेमीकंडक्टरमधून किती वेगाने फिरू शकतो.
एन-टाइपची समतोल एकाग्रता - (मध्ये मोजली 1 प्रति घनमीटर) - एन-टाइपची समतोल एकाग्रता दात्याच्या अणूंच्या घनतेइतकी असते कारण वहनासाठी इलेक्ट्रॉन्स केवळ दात्याच्या अणूद्वारे दिले जातात.
भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - होल डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी म्हणजे लागू विद्युत क्षेत्राच्या उपस्थितीत धातू किंवा सेमीकंडक्टरमधून प्रवास करण्याची छिद्राची क्षमता.
आंतरिक एकाग्रता - (मध्ये मोजली 1 प्रति घनमीटर) - आंतरिक एकाग्रता म्हणजे वहन बँडमधील इलेक्ट्रॉनची संख्या किंवा आंतरिक सामग्रीमधील व्हॅलेन्स बँडमधील छिद्रांची संख्या.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

चार्ज करा: 5 मिलिकुलॉम्ब --> 0.005 कुलम्ब (रूपांतरण तपासा येथे)
इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी: 0.38 चौरस सेंटीमीटर प्रति व्होल्ट सेकंद --> 3.8E-05 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद (रूपांतरण तपासा येथे)
एन-टाइपची समतोल एकाग्रता: 45 1 प्रति घन सेंटीमीटर --> 45000000 1 प्रति घनमीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता: 2.4 चौरस सेंटीमीटर प्रति व्होल्ट सेकंद --> 0.00024 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद (रूपांतरण तपासा येथे)
आंतरिक एकाग्रता: 1.32 1 प्रति घन सेंटीमीटर --> 1320000 1 प्रति घनमीटर (रूपांतरण तपासा येथे)

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

σ = q*(μ_n*N_d+μ_p*(n_i^2/N_d)) --> 0.005*(3.8E-05*45000000+0.00024*(1320000^2/45000000))

मूल्यांकन करत आहे ... ...

σ = 8.596464

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

8.596464 सीमेन्स / मीटर -->0.08596464 म्हो / सेंटीमीटर (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

0.08596464 ≈ 0.085965 म्हो / सेंटीमीटर <-- ओमिक चालकता

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC) » बायपोलर आयसी फॅब्रिकेशन » N-प्रकारची चालकता

जमा

ने निर्मित राहुल गुप्ता

चंदीगड विद्यापीठ (CU), मोहाली, पंजाब

राहुल गुप्ता यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 25+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित ऋत्विक त्रिपाठी

वेल्लोर इन्स्टिट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजी (व्हीआयटी वेल्लोर), वेल्लोर

ऋत्विक त्रिपाठी यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 100+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< बायपोलर आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर

N-प्रकारची चालकता

जा ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*एन-टाइपची समतोल एकाग्रता+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*(आंतरिक एकाग्रता^2/एन-टाइपची समतोल एकाग्रता))

अशुद्धतेची ओमिक चालकता

जा ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*भोक एकाग्रता)

कलेक्टर एमिटरचे ब्रेकआउट व्होल्टेज

जा कलेक्टर एमिटर ब्रेकआउट व्होल्टेज = कलेक्टर बेस ब्रेकआउट व्होल्टेज/(BJT चा सध्याचा फायदा)^(1/रूट क्रमांक)

आंतरिक एकाग्रतेसह अशुद्धता

जा आंतरिक एकाग्रता = sqrt((इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*भोक एकाग्रता)/तापमान अशुद्धता)

अजून पहा >>