MOSFET च्या लिनियर रेझिस्टन्स मध्ये आचरण उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
चॅनेलचे संचालन = 1/रेखीय प्रतिकार
G = 1/Rds
हे सूत्र 2 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
चॅनेलचे संचालन - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - वाहिनीचे प्रवाहकत्व हे सामान्यत: चॅनेलमधून जाणारे विद्युत् प्रवाह आणि त्यावरील व्होल्टेजचे गुणोत्तर म्हणून परिभाषित केले जाते.
रेखीय प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - रेखीय प्रतिकार, विरोध किंवा प्रतिकाराचे प्रमाण हे ओमच्या कायद्याने वर्णन केल्याप्रमाणे त्यामधून वाहणाऱ्या विद्युत् प्रवाहाच्या प्रमाणाशी थेट प्रमाणात असते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
रेखीय प्रतिकार: 0.166 किलोहम --> 166 ओहम (रूपांतरण तपासा ​येथे)
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
G = 1/Rds --> 1/166
मूल्यांकन करत आहे ... ...
G = 0.00602409638554217
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.00602409638554217 सीमेन्स -->6.02409638554217 मिलिसीमेन्स (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
6.02409638554217 6.024096 मिलिसीमेन्स <-- चॅनेलचे संचालन
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित पायल प्रिया
बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी
पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित प्रल्हाद सिंग
जयपूर अभियांत्रिकी महाविद्यालय व संशोधन केंद्र (जेईसीआरसी), जयपूर
प्रल्हाद सिंग यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 10+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

प्रतिकार कॅल्क्युलेटर

MOSFET रेखीय प्रतिकार दिलेले गुणोत्तर म्हणून
​ जा रेखीय प्रतिकार = चॅनेलची लांबी/(चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी*प्रभावी व्होल्टेज)
निचरा आणि स्रोत दरम्यान मर्यादित प्रतिकार
​ जा मर्यादित प्रतिकार = modulus(सकारात्मक डीसी व्होल्टेज)/ड्रेन करंट
इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ
​ जा इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ = 1/(आउटपुट प्रतिकार*ड्रेन करंट)
ड्रेन आउटपुट प्रतिकार
​ जा आउटपुट प्रतिकार = 1/(इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ*ड्रेन करंट)

MOSFET वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*(1/(1/लोड प्रतिकार+1/आउटपुट प्रतिकार))/(1+Transconductance*स्रोत प्रतिकार)
बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = 2*(पुरवठा व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज)/(प्रभावी व्होल्टेज)
ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन
​ जा व्होल्टेज वाढणे = (ड्रेन करंट*लोड प्रतिकार*2)/प्रभावी व्होल्टेज
सर्व व्होल्टेज दिलेला कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = (पुरवठा व्होल्टेज-0.3)/थर्मल व्होल्टेज

MOSFET च्या लिनियर रेझिस्टन्स मध्ये आचरण सुत्र

चॅनेलचे संचालन = 1/रेखीय प्रतिकार
G = 1/Rds

MOSFET एक सममितीय डिव्हाइस आहे?

मॉसफ़ेट एक सममित डिव्हाइस आहे, म्हणून उत्तर होय आहे. तथापि आपल्या सर्किट डिझाइनमध्ये आपण आपले शरीर टर्मिनलंपैकी एकाशी जोडले असल्यास, आपणास ते टर्मिनल स्त्रोत पाहिजे आहे.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!