मसावि कॅल्क्युलेटर

चॅनेल प्रतिकार कॅल्क्युलेटर

अभियांत्रिकी आरोग्य आर्थिक खेळाचे मैदान अधिक >>

↳

इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन उत्पादन अभियांत्रिकी दिवाणी अधिक >>

⤿

इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC)CMOS डिझाइन आणि अनुप्रयोग अँटेना आणि वेव्ह प्रोपोगेशन अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स अधिक >>

⤿

एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन बायपोलर आयसी फॅब्रिकेशन श्मिट ट्रिगर

✖ट्रान्झिस्टरची लांबी MOSFET मधील चॅनेल क्षेत्राच्या लांबीचा संदर्भ देते. हे परिमाण ट्रान्झिस्टरची विद्युत वैशिष्ट्ये आणि कार्यप्रदर्शन निश्चित करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.ⓘ ट्रान्झिस्टरची लांबी [L_t]			+10% -10%
✖ट्रान्झिस्टरची रुंदी MOSFET मधील चॅनेल क्षेत्राच्या रुंदीचा संदर्भ देते. हे परिमाण ट्रान्झिस्टरची विद्युत वैशिष्ट्ये आणि कार्यप्रदर्शन निश्चित करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.ⓘ ट्रान्झिस्टरची रुंदी [W_t]			+10% -10%
✖इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी इलेक्ट्रिक फील्डच्या प्रतिसादात इलेक्ट्रॉन सामग्रीमधून किती वेगाने फिरू शकतात याचे वर्णन करते.ⓘ इलेक्ट्रॉन गतिशीलता [μ_n]			+10% -10%
✖वाहक घनता अर्धसंवाहक चॅनेलमध्ये उपस्थित चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉन किंवा छिद्र) च्या संख्येचा संदर्भ देते.ⓘ वाहक घनता [Q_on]			+10% -10%

✖चॅनल रेझिस्टन्स म्हणजे चॅनेलमधील सेमीकंडक्टर मटेरिअलद्वारे ऑफर केलेल्या रेझिस्टन्सचा संदर्भ ज्याद्वारे स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्स दरम्यान प्रवाहित होतो.ⓘ चॅनेल प्रतिकार [R_ch]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

चॅनेल प्रतिकार

सुत्र

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

उदाहरण

3.463203 Ω = \frac{3.2 μm}{5.5 μm} \cdot \frac{1}{30 m²/V*s \cdot 0.0056 electrons/m³}

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन सूत्रे PDF PDF Image

चॅनेल प्रतिकार उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

चॅनेल प्रतिकार = ट्रान्झिस्टरची लांबी/ट्रान्झिस्टरची रुंदी*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनता)
R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on)
हे सूत्र 5 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

चॅनेल प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - चॅनल रेझिस्टन्स म्हणजे चॅनेलमधील सेमीकंडक्टर मटेरिअलद्वारे ऑफर केलेल्या रेझिस्टन्सचा संदर्भ ज्याद्वारे स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्स दरम्यान प्रवाहित होतो.
ट्रान्झिस्टरची लांबी - (मध्ये मोजली मीटर) - ट्रान्झिस्टरची लांबी MOSFET मधील चॅनेल क्षेत्राच्या लांबीचा संदर्भ देते. हे परिमाण ट्रान्झिस्टरची विद्युत वैशिष्ट्ये आणि कार्यप्रदर्शन निश्चित करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.
ट्रान्झिस्टरची रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - ट्रान्झिस्टरची रुंदी MOSFET मधील चॅनेल क्षेत्राच्या रुंदीचा संदर्भ देते. हे परिमाण ट्रान्झिस्टरची विद्युत वैशिष्ट्ये आणि कार्यप्रदर्शन निश्चित करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी इलेक्ट्रिक फील्डच्या प्रतिसादात इलेक्ट्रॉन सामग्रीमधून किती वेगाने फिरू शकतात याचे वर्णन करते.
वाहक घनता - (मध्ये मोजली इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर) - वाहक घनता अर्धसंवाहक चॅनेलमध्ये उपस्थित चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉन किंवा छिद्र) च्या संख्येचा संदर्भ देते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

ट्रान्झिस्टरची लांबी: 3.2 मायक्रोमीटर --> 3.2E-06 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
ट्रान्झिस्टरची रुंदी: 5.5 मायक्रोमीटर --> 5.5E-06 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता: 30 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद --> 30 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
वाहक घनता: 0.0056 इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर --> 0.0056 इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on) --> 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

R_ch = 3.46320346320346

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

3.46320346320346 ओहम --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

3.46320346320346 ≈ 3.463203 ओहम <-- चॅनेल प्रतिकार

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC) » एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन » चॅनेल प्रतिकार

जमा

ने निर्मित बानुप्रकाश

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

बानुप्रकाश यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित संतोष यादव

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

संतोष यादव यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव

जा सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर*(sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल+शरीरावर व्होल्टेज लागू)-sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल))

संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह

जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर/2*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2*(1+चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)

चॅनेल प्रतिकार

जा चॅनेल प्रतिकार = ट्रान्झिस्टरची लांबी/ट्रान्झिस्टरची रुंदी*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनता)

MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता

जा MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता = MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स/(गेट सोर्स कॅपेसिटन्स+गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स)

अजून पहा >>