मसावि कॅल्क्युलेटर

विभेदक जोडीमध्ये बायस करंट कॅल्क्युलेटर

अभियांत्रिकी आरोग्य आर्थिक खेळाचे मैदान अधिक >>

↳

इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन उत्पादन अभियांत्रिकी दिवाणी अधिक >>

⤿

अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स CMOS डिझाइन आणि अनुप्रयोग अँटेना आणि वेव्ह प्रोपोगेशन अॅनालॉग कम्युनिकेशन्स अधिक >>

⤿

MOSFET बीजेटी

⤿

बायसिंग MOSFET वैशिष्ट्ये Transconductance अंतर्गत कॅपेसिटिव्ह प्रभाव आणि उच्च वारंवारता मॉडेल अधिक >>

✖ड्रेन करंट 1 हा प्रवाह आहे जो ड्रेन आणि फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या स्त्रोत टर्मिनल्स दरम्यान वाहतो, जो सामान्यतः इलेक्ट्रॉनिक सर्किट्समध्ये वापरला जाणारा एक प्रकारचा ट्रान्झिस्टर आहे.ⓘ ड्रेन करंट १ [I_d1]			+10% -10%
✖ड्रेन करंट 2 हा प्रवाह आहे जो ड्रेन आणि फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या स्त्रोत टर्मिनल्स दरम्यान वाहतो, जो सामान्यतः इलेक्ट्रॉनिक सर्किट्समध्ये वापरला जाणारा एक प्रकारचा ट्रान्झिस्टर आहे.ⓘ निचरा प्रवाह 2 [I_d2]			+10% -10%

✖डीसी बायस करंट हा स्थिर प्रवाह आहे जो सर्किट किंवा डिव्हाइसमधून विशिष्ट ऑपरेटिंग पॉइंट किंवा बायस पॉइंट स्थापित करण्यासाठी वाहतो.ⓘ विभेदक जोडीमध्ये बायस करंट [I_b]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

विभेदक जोडीमध्ये बायस करंट

सुत्र

I b = I d1 + I d2

उदाहरण

15.16 mA = 7.65 mA + 7.51 mA

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

विभेदक जोडीमध्ये बायस करंट उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

डीसी बायस वर्तमान = ड्रेन करंट १+निचरा प्रवाह 2
I_b = I_d1+I_d2
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

डीसी बायस वर्तमान - (मध्ये मोजली अँपिअर) - डीसी बायस करंट हा स्थिर प्रवाह आहे जो सर्किट किंवा डिव्हाइसमधून विशिष्ट ऑपरेटिंग पॉइंट किंवा बायस पॉइंट स्थापित करण्यासाठी वाहतो.
ड्रेन करंट १ - (मध्ये मोजली अँपिअर) - ड्रेन करंट 1 हा प्रवाह आहे जो ड्रेन आणि फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या स्त्रोत टर्मिनल्स दरम्यान वाहतो, जो सामान्यतः इलेक्ट्रॉनिक सर्किट्समध्ये वापरला जाणारा एक प्रकारचा ट्रान्झिस्टर आहे.
निचरा प्रवाह 2 - (मध्ये मोजली अँपिअर) - ड्रेन करंट 2 हा प्रवाह आहे जो ड्रेन आणि फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या स्त्रोत टर्मिनल्स दरम्यान वाहतो, जो सामान्यतः इलेक्ट्रॉनिक सर्किट्समध्ये वापरला जाणारा एक प्रकारचा ट्रान्झिस्टर आहे.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

ड्रेन करंट १: 7.65 मिलीअँपिअर --> 0.00765 अँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)
निचरा प्रवाह 2: 7.51 मिलीअँपिअर --> 0.00751 अँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

I_b = I_d1+I_d2 --> 0.00765+0.00751

मूल्यांकन करत आहे ... ...

I_b = 0.01516

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.01516 अँपिअर -->15.16 मिलीअँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

15.16 मिलीअँपिअर <-- डीसी बायस वर्तमान

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » बायसिंग » विभेदक जोडीमध्ये बायस करंट

जमा

ने निर्मित पायल प्रिया

बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी

पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित अंशिका आर्य

राष्ट्रीय तंत्रज्ञान संस्था (एनआयटी), हमीरपूर

अंशिका आर्य यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 2500+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< बायसिंग कॅल्क्युलेटर

MOSFET चा DC बायस करंट

जा डीसी बायस वर्तमान = 1/2*ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2

ड्रेनवर डीसी बायस आउटपुट व्होल्टेज

जा आउटपुट व्होल्टेज = पुरवठा व्होल्टेज-लोड प्रतिकार*डीसी बायस वर्तमान

ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून MOSFET चा DC बायस करंट

जा डीसी बायस वर्तमान = 1/2*ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रभावी व्होल्टेज^2

इनपुट बायस करंट

जा डीसी बायस वर्तमान = (इनपुट बायस करंट १+इनपुट बायस वर्तमान 2)/2

अजून पहा >>

विभेदक जोडीमध्ये बायस करंट सुत्र

डीसी बायस वर्तमान = ड्रेन करंट १+निचरा प्रवाह 2
I_b = I_d1+I_d2

गेटची कपॅसिटीन्स कशी कमी करता येईल?

गेटची क्षमता कमी करणे किंवा त्यांचे क्षेत्र कमी करून इन्सुलेटिंग थरांची जाडी कमी करता येते. सर्वात प्रभावी पद्धत म्हणजे उपकरणे कमी करून कॅपेसिटरचे क्षेत्र कमी करणे. आकारमान संकुचित केल्यामुळे मोजलेल्या डिव्हाइसमध्ये लहान कॅपेसिटन्स मूल्ये आहेत.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!