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   Fabbricazione di circuiti integrati MOS PDF
Formule : 15
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Contenuto del PDF di Fabbricazione di circuiti integrati MOS

Elenco di 15 Fabbricazione di circuiti integrati MOS Formule

Concentrazione del drogante accettore
​Partire
Concentrazione del drogante del donatore
​Partire
Concentrazione massima di drogante
​Partire
Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione
​Partire
Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni liberi
​Partire
Deriva della densità di corrente dovuta ai fori
​Partire
Dimensione critica
​Partire
Effetto corpo nel MOSFET
​Partire
Frequenza di guadagno unitario MOSFET
​Partire
Muori per wafer
​Partire
Profondità di messa a fuoco
​Partire
Resistenza del canale
​Partire
Spessore equivalente dell'ossido
​Partire
Tempo di propagazione
​Partire
Tensione del punto di commutazione
​Partire

Variabili utilizzate nel PDF di Fabbricazione di circuiti integrati MOS

  1. Cdep Capacità dello strato di esaurimento (Microfarad)
  2. Cgd Capacità di scarico del cancello (Microfarad)
  3. Cgs Capacità della sorgente di gate (Microfarad)
  4. Cl Capacità di carico (Microfarad)
  5. Co Concentrazione di riferimento
  6. Cs Concentrazione massima di drogante (Elettroni per centimetro cubo)
  7. CD Dimensione critica (Nanometro)
  8. dw Diametro del wafer (Millimetro)
  9. DOF Profondità di messa a fuoco (Micrometro)
  10. DPW Muori per wafer
  11. Ei Intensità del campo elettrico (Volt per metro)
  12. Es Energia di attivazione per la solubilità solida (Joule)
  13. EOT Spessore equivalente dell'ossido (Nanometro)
  14. ft Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET (Kilohertz)
  15. gm Transconduttanza nei MOSFET (Siemens)
  16. Id Assorbimento di corrente (Ampere)
  17. Isat Corrente di saturazione (Ampere)
  18. Jn Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni (microampere)
  19. Jp Deriva della densità di corrente dovuta ai fori (Ampere per millimetro quadrato)
  20. k1 Costante dipendente dal processo
  21. k2 Fattore di proporzionalità
  22. khigh-k Costante dielettrica del materiale
  23. Lt Lunghezza del transistor (Micrometro)
  24. n Concentrazione di elettroni (Elettroni per centimetro cubo)
  25. N Numero di transistor di passaggio
  26. Na Concentrazione del drogante accettore (Elettroni per metro cubo)
  27. Nd Concentrazione del drogante del donatore (Elettroni per metro cubo)
  28. NA Apertura numerica
  29. p Concentrazione dei fori (Elettroni per metro cubo)
  30. Qon Densità del portatore (Elettroni per metro cubo)
  31. Rch Resistenza del canale (Ohm)
  32. Rm Resistenza nel MOSFET (Ohm)
  33. Sd Dimensioni di ogni dado (Piazza millimetrica)
  34. Ta Temperatura assoluta (Kelvin)
  35. thigh-k Spessore del materiale (Nanometro)
  36. Tp Tempo di propagazione (Secondo)
  37. Vbs Tensione applicata al corpo (Volt)
  38. Vdd Tensione di alimentazione (Volt)
  39. Vds Tensione della sorgente di drenaggio (Volt)
  40. Vgs Tensione della sorgente di gate (Volt)
  41. Vs Tensione del punto di commutazione (Volt)
  42. Vt Tensione di soglia con substrato (Volt)
  43. Vth Tensione di soglia con zero body bias (Volt)
  44. Vtn Tensione di soglia NMOS (Volt)
  45. Vtp Tensione di soglia PMOS (Volt)
  46. Wt Larghezza del transistor (Micrometro)
  47. β Parametro di transconduttanza (Siemens)
  48. βn Guadagno del transistor NMOS
  49. βp Guadagno del transistor PMOS
  50. γ Parametro dell'effetto corporeo
  51. λi Fattore di modulazione della lunghezza del canale
  52. λl Lunghezza d'onda nella fotolitografia (Nanometro)
  53. μn Mobilità elettronica (Metro quadrato per Volt al secondo)
  54. μp Mobilità dei fori (Metro quadrato per Volt al secondo)
  55. Φf Potenziale di Fermi in massa (Volt)

Costanti, funzioni e misure utilizzate nel PDF di Fabbricazione di circuiti integrati MOS

  1. Costante: [Charge-e], 1.60217662E-19
    Carica dell'elettrone
  2. Costante: pi, 3.14159265358979323846264338327950288
    Costante di Archimede
  3. Costante: [BoltZ], 1.38064852E-23
    Costante di Boltzmann
  4. Funzione: exp, exp(Number)
    In una funzione esponenziale, il valore della funzione cambia di un fattore costante per ogni variazione unitaria della variabile indipendente.
  5. Funzione: sqrt, sqrt(Number)
    Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.
  6. Misurazione: Lunghezza in Micrometro (μm), Nanometro (nm), Millimetro (mm)
    Lunghezza Conversione unità
  7. Misurazione: Tempo in Secondo (s)
    Tempo Conversione unità
  8. Misurazione: Corrente elettrica in Ampere (A), microampere (µA)
    Corrente elettrica Conversione unità
  9. Misurazione: Temperatura in Kelvin (K)
    Temperatura Conversione unità
  10. Misurazione: La zona in Piazza millimetrica (mm²)
    La zona Conversione unità
  11. Misurazione: Energia in Joule (J)
    Energia Conversione unità
  12. Misurazione: Frequenza in Kilohertz (kHz)
    Frequenza Conversione unità
  13. Misurazione: Capacità in Microfarad (μF)
    Capacità Conversione unità
  14. Misurazione: Resistenza elettrica in Ohm (Ω)
    Resistenza elettrica Conversione unità
  15. Misurazione: Conduttanza elettrica in Siemens (S)
    Conduttanza elettrica Conversione unità
  16. Misurazione: Lunghezza d'onda in Nanometro (nm), Micrometro (μm)
    Lunghezza d'onda Conversione unità
  17. Misurazione: Densità di corrente superficiale in Ampere per millimetro quadrato (A/mm²)
    Densità di corrente superficiale Conversione unità
  18. Misurazione: Intensità del campo elettrico in Volt per metro (V/m)
    Intensità del campo elettrico Conversione unità
  19. Misurazione: Potenziale elettrico in Volt (V)
    Potenziale elettrico Conversione unità
  20. Misurazione: Mobilità in Metro quadrato per Volt al secondo (m²/V*s)
    Mobilità Conversione unità
  21. Misurazione: Densità elettronica in Elettroni per metro cubo (electrons/m³), Elettroni per centimetro cubo (electrons/cm³)
    Densità elettronica Conversione unità
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