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   Caratteristiche del circuito CMOS PDF
Formule : 15
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Contenuto del PDF di Caratteristiche del circuito CMOS

Elenco di 15 Caratteristiche del circuito CMOS Formule

Area di diffusione della sorgente
​Partire
Campo elettrico critico
​Partire
Capacità effettiva in CMOS
​Partire
CMOS percorso libero medio
​Partire
Larghezza del cancello
​Partire
Larghezza della diffusione della sorgente
​Partire
Larghezza della regione di svuotamento
​Partire
Larghezza di transizione del CMOS
​Partire
Lunghezza effettiva del canale
​Partire
Lunghezza giunzione PN
​Partire
Perimetro laterale della diffusione della sorgente
​Partire
Permittività dello strato di ossido
​Partire
Spessore dello strato di ossido
​Partire
Tensione al minimo EDP
​Partire
Tensione critica CMOS
​Partire

Variabili utilizzate nel PDF di Caratteristiche del circuito CMOS

  1. µe Mobilità dell'elettrone (Centimetro quadrato per Volt Secondo)
  2. As Area di diffusione della sorgente (Piazza millimetrica)
  3. Ceff Capacità effettiva nel CMOS (Microfarad)
  4. Cgs Capacità del gate MOS (Microfarad)
  5. Cin Capacità del gate di ingresso (Microfarad)
  6. Cmos Capacità di sovrapposizione del gate MOS (Microfarad)
  7. Cox Capacità dello strato di ossido di gate (Microfarad per millimetro quadrato)
  8. D Ciclo di lavoro
  9. Ds Lunghezza della fonte (Millimetro)
  10. Ec Campo elettrico critico (Volt per millimetro)
  11. ioff Fuori corrente (Millampere)
  12. L Percorso libero medio (Millimetro)
  13. Ld Larghezza della regione di esaurimento (Millimetro)
  14. Leff Lunghezza effettiva del canale (Millimetro)
  15. Lg Lunghezza del cancello (Millimetro)
  16. Lpn Lunghezza giunzione PN (Millimetro)
  17. Ng Cancelli sul percorso critico
  18. Ps Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente (Millimetro)
  19. tox Spessore dello strato di ossido (Millimetro)
  20. Vbc Tensione del collettore di base (Volt)
  21. Vc Tensione critica nel CMOS (Volt)
  22. Vedp Tensione al minimo EDP (Volt)
  23. Vsat Saturazione della velocità (Millimeter / Second)
  24. Vt Soglia di voltaggio (Volt)
  25. W Larghezza di transizione (Millimetro)
  26. Wg Larghezza del cancello (Millimetro)
  27. α Fattore di attività
  28. εox Permittività dello strato di ossido (Microfarad per millimetro)

Costanti, funzioni e misure utilizzate nel PDF di Caratteristiche del circuito CMOS

  1. Costante: [BoltZ], 1.38064852E-23
    Costante di Boltzmann
  2. Misurazione: Lunghezza in Millimetro (mm)
    Lunghezza Conversione unità
  3. Misurazione: Corrente elettrica in Millampere (mA)
    Corrente elettrica Conversione unità
  4. Misurazione: La zona in Piazza millimetrica (mm²)
    La zona Conversione unità
  5. Misurazione: Velocità in Millimeter / Second (mm/s)
    Velocità Conversione unità
  6. Misurazione: Capacità in Microfarad (μF)
    Capacità Conversione unità
  7. Misurazione: Intensità del campo elettrico in Volt per millimetro (V/mm)
    Intensità del campo elettrico Conversione unità
  8. Misurazione: Potenziale elettrico in Volt (V)
    Potenziale elettrico Conversione unità
  9. Misurazione: Mobilità in Centimetro quadrato per Volt Secondo (cm²/V*s)
    Mobilità Conversione unità
  10. Misurazione: Capacità di ossido per area unitaria in Microfarad per millimetro quadrato (μF/mm²)
    Capacità di ossido per area unitaria Conversione unità
  11. Misurazione: Permittività in Microfarad per millimetro (μF/mm)
    Permittività Conversione unità
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