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   Dispositivi transistor avanzati PDF
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Raddrizzatori monofase non controllati
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Raddrizzatori trifase non controllati
Formule : 21   Misurare : 353 kb

Contenuto del PDF di Dispositivi transistor avanzati

Elenco di 20 Dispositivi transistor avanzati Formule

Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON
​Partire
Capacità della sorgente di gate del FET
​Partire
Capacità di drenaggio del gate del FET
​Partire
Capacità di ingresso dell'IGBT
​Partire
Corrente dell'emettitore dell'IGBT
​Partire
Corrente di carico media del TRIAC
​Partire
Corrente di carico RMS del TRIAC
​Partire
Corrente di collettore continua nominale dell'IGBT
​Partire
Corrente di drenaggio del FET
​Partire
Corrente di drenaggio della regione ohmica del FET
​Partire
Dissipazione di potenza del TRIAC
​Partire
Guadagno di tensione del FET
​Partire
Massima dissipazione di potenza negli IGBT
​Partire
Orario di spegnimento dell'IGBT
​Partire
Ridurre la tensione del FET
​Partire
Scarica la tensione della sorgente del FET
​Partire
Temperatura massima di giunzione del TRIAC
​Partire
Tensione di rottura della polarizzazione diretta dell'IGBT
​Partire
Tensione di saturazione dell'IGBT
​Partire
Transconduttanza del FET
​Partire

Variabili utilizzate nel PDF di Dispositivi transistor avanzati

  1. Av(fet) FET guadagno di tensione (Volt)
  2. BVsoa(igbt) Tensione di guasto SOA IGBT (Volt)
  3. C(g-c)(igbt) Capacità da gate a collettore (IGBT) (Farad)
  4. C(g-e)(igbt) Capacità da gate a emettitore (IGBT) (Farad)
  5. Cgd(fet) Capacità di drenaggio del gate FET (Farad)
  6. Cgs(fet) FET di capacità della sorgente di gate (Farad)
  7. Cin(igbt) Capacità di ingresso (IGBT) (Farad)
  8. Gm(fet) FET a transconduttanza diretta (Millisiemens)
  9. Go(fet) FET conduttanza del canale (Millisiemens)
  10. Iavg(triac) TRIAC corrente di carico medio (Millampere)
  11. Id(fet) Assorbimento della corrente FET (Millampere)
  12. Id(igbt) Corrente di drenaggio (IGBT) (Millampere)
  13. Idss(fet) Corrente di drenaggio polarizzata zero (Millampere)
  14. ie(igbt) Corrente elettronica (IGBT) (Millampere)
  15. Ie(igbt) Corrente dell'emettitore (IGBT) (Millampere)
  16. if(igbt) Corrente diretta (IGBT) (Millampere)
  17. Ih(igbt) Corrente nel buco (IGBT) (Millampere)
  18. Ipeak(triac) TRIAC della corrente di picco (Millampere)
  19. Irms(triac) RMS Corrente TRIAC (Millampere)
  20. Np(igbt) Carica positiva netta (IGBT) (Coulomb)
  21. P(triac) Potenza di dissipazione TRIAC (Watt)
  22. Pmax(igbt) Massima dissipazione di potenza (IGBT) (Watt)
  23. Pmax(triac) TRIAC massima dissipazione di potenza (Milliwatt)
  24. Rce(igbt) Resistenza del collettore e dell'emettitore (IGBT) (Kilohm)
  25. Rch(igbt) Resistenza canale N (IGBT) (Kilohm)
  26. Rd(fet) FET di resistenza al drenaggio (Kilohm)
  27. Rd(igbt) Resistenza alla deriva (IGBT) (Kilohm)
  28. Rs(fet) FET di resistenza della sorgente (Kilohm)
  29. Rs(igbt) Conducibilità Resistenza IGBT (Kilohm)
  30. Rs(triac) Resistenza Conduttività TRIAC (Kilohm)
  31. Rth(j-a)(triac) Giunzione al TRIAC della Resistenza Termica Ambiente (Kilohm)
  32. Rth(jc)(igbt) Resistenza termica (IGBT) (Kilohm)
  33. Ta(triac) TRIAC temperatura ambiente (Centigrado)
  34. Tc(igbt) IGBT temperatura custodia (Centigrado)
  35. Tdl(igbt) Tempo di ritardo (IGBT) (Secondo)
  36. tf1(igbt) Tempo di caduta iniziale (IGBT) (Secondo)
  37. tf2(igbt) Tempo di caduta finale (IGBT) (Secondo)
  38. Tgd-off(fet) Capacità di drenaggio del gate Tempo di disattivazione FET (Secondo)
  39. Tgs-off(fet) Capacità sorgente gate Tempo di disattivazione FET (Secondo)
  40. Tjmax(igbt) Giunzione operativa massima (IGBT) (Centigrado)
  41. Tjmax(triac) Giunzione massima operativa TRIAC (Centigrado)
  42. Toff(igbt) Orario di spegnimento (IGBT) (Secondo)
  43. VB-E(pnp)(igbt) Tensione base emettitore PNP IGBT (Volt)
  44. Vce(igbt) Tensione totale di collettore ed emettitore (IGBT) (Volt)
  45. Vc-e(sat)(igbt) Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT) (Volt)
  46. Vcut-off(fet) FET di tensione di interruzione (Volt)
  47. Vdd(fet) Tensione di alimentazione al FET di drenaggio (Volt)
  48. Vds(fet) FET di tensione della sorgente di drenaggio (Volt)
  49. Vds-off(fet) FET di tensione della sorgente di drenaggio Pinch OFF (Volt)
  50. Vgd(fet) FET di tensione da gate a drain (Volt)
  51. Vj1(igbt) Tensione Pn Giunzione 1 (IGBT) (Volt)
  52. Vknee(triac) TRIAC di tensione al ginocchio (Volt)
  53. Voff(fet) Tensione di spegnimento (Volt)
  54. VON(igbt) Caduta di tensione sullo stadio (IGBT) (Volt)
  55. θj-c(igbt) Giunzione all'angolo del case (IGBT) (Grado)
  56. Ψ0(fet) FET potenziale di superficie (Volt)

Costanti, funzioni e misure utilizzate nel PDF di Dispositivi transistor avanzati

  1. Costante: pi, 3.14159265358979323846264338327950288
    Costante di Archimede
  2. Funzione: sqrt, sqrt(Number)
    Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.
  3. Misurazione: Tempo in Secondo (s)
    Tempo Conversione unità
  4. Misurazione: Corrente elettrica in Millampere (mA)
    Corrente elettrica Conversione unità
  5. Misurazione: Temperatura in Centigrado (°C)
    Temperatura Conversione unità
  6. Misurazione: Carica elettrica in Coulomb (C)
    Carica elettrica Conversione unità
  7. Misurazione: Potenza in Milliwatt (mW), Watt (W)
    Potenza Conversione unità
  8. Misurazione: Angolo in Grado (°)
    Angolo Conversione unità
  9. Misurazione: Capacità in Farad (F)
    Capacità Conversione unità
  10. Misurazione: Resistenza elettrica in Kilohm (kΩ)
    Resistenza elettrica Conversione unità
  11. Misurazione: Conduttanza elettrica in Millisiemens (mS)
    Conduttanza elettrica Conversione unità
  12. Misurazione: Potenziale elettrico in Volt (V)
    Potenziale elettrico Conversione unità
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