Optimisation des matériaux VLSI Calculatrice

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Optimisation des matériaux VLSI Conception VLSI analogique

Optimisation des matériaux VLSI Calculatrices

Capacité de porte

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Capacité de porte intrinsèque

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Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI

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Capacité d'oxyde après mise à l'échelle de tension VLSI

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Capacité d'oxyde de porte

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Capacité parasitaire totale de la source

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Charge de canal

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Coefficient d'effet corporel

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Coefficient DIBL

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Concentration d'accepteur après mise à l'échelle complète du VLSI

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Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle

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Courant de drain après mise à l'échelle complète du VLSI

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Courant de drain après mise à l'échelle de tension VLSI

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Courant de jonction

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Courant de saturation des canaux courts VLSI

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Densité de charge de la région d'épuisement en vrac VLSI

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Densité de puissance après mise à l'échelle de tension VLSI

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Dissipation de puissance après mise à l'échelle de tension VLSI

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Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI

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Jonction Tension intégrée VLSI

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K-Prime

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Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI

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Longueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porte

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Longueur du canal après mise à l'échelle complète du VLSI

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Mobilité à Mosfet

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Pente sous-seuil

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Potentiel de surface

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Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec drain VLSI

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Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI

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Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète du VLSI

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Réduction de tension de seuil de canal court VLSI

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Tension critique

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Tension d'alimentation après mise à l'échelle complète du VLSI

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Tension de seuil

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Tension de seuil après mise à l'échelle complète du VLSI

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Tension de seuil de canal court VLSI

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Tension de seuil de canal étroit VLSI

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Tension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps

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Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI

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