Calculatrice A à Z
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Calculatrices créées par Priyanka Patel
Priyanka Patel
Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai
(PEMD)
,
Ahmedabad
39
Formules Créé
19
Formules Vérifié
5
À travers les catégories
Liste des calculatrices par Priyanka Patel
Voici une liste combinée de toutes les calculatrices qui ont été créées et vérifiées par Priyanka Patel. Priyanka Patel a créé 39 et vérifié 19 des calculatrices dans 5 différentes catégories jusqu'à ce jour.
Dynamique des ondes électriques
(8)
Vérifié
Densité du flux magnétique en espace libre
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Vérifié
Densité du flux magnétique utilisant l'intensité du champ magnétique et la magnétisation
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Vérifié
Force magnétique par l'équation de force de Lorentz
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Vérifié
Force magnétomotrice étant donné la réluctance et le flux magnétique
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Vérifié
Inductance interne d'un fil long et droit
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Vérifié
Magnétisation utilisant l'intensité du champ magnétique et la densité du flux magnétique
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Vérifié
Résistance du conducteur cylindrique
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Vérifié
Susceptibilité magnétique utilisant la perméabilité relative
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13 Plus de calculatrices Dynamique des ondes électriques
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Onduleurs CMOS
(16)
Créé
Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS
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Créé
Charge résistive Tension de sortie minimale CMOS
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Créé
Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS
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Créé
Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS
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Créé
Délai de propagation moyen CMOS
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Créé
Dissipation de puissance moyenne CMOS
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Créé
Marge de bruit pour les CMOS à signal élevé
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Créé
Oscillateur en anneau à période d'oscillation CMOS
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Créé
Rapport de transconductance CMOS
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Créé
Retard de propagation pour les CMOS de transition de faible à haut rendement
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Créé
Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse
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Créé
Tension de seuil CMOS
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Créé
Tension d'entrée maximale CMOS
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Créé
Tension d'entrée maximale pour CMOS symétrique
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Créé
Tension d'entrée minimale CMOS
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Créé
Tension d'entrée minimale pour CMOS symétrique
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Optimisation des matériaux VLSI
(23)
Créé
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI
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Créé
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle de tension VLSI
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Créé
Concentration d'accepteur après mise à l'échelle complète du VLSI
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Créé
Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle
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Créé
Courant de drain après mise à l'échelle complète du VLSI
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Créé
Courant de drain après mise à l'échelle de tension VLSI
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Créé
Courant de saturation des canaux courts VLSI
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Créé
Densité de charge de la région d'épuisement en vrac VLSI
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Créé
Densité de puissance après mise à l'échelle de tension VLSI
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Créé
Dissipation de puissance après mise à l'échelle de tension VLSI
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Créé
Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI
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Créé
Jonction Tension intégrée VLSI
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Créé
Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI
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Créé
Longueur du canal après mise à l'échelle complète du VLSI
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Créé
Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec drain VLSI
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Créé
Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI
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Créé
Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète du VLSI
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Créé
Réduction de tension de seuil de canal court VLSI
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Créé
Tension d'alimentation après mise à l'échelle complète du VLSI
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Créé
Tension de seuil après mise à l'échelle complète du VLSI
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Créé
Tension de seuil de canal court VLSI
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Créé
Tension de seuil de canal étroit VLSI
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Créé
Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI
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16 Plus de calculatrices Optimisation des matériaux VLSI
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Paramètres de fibre optique
(10)
Vérifié
Dispersion totale
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Vérifié
Indice de réfraction du matériau étant donné la puissance optique
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Vérifié
Longueur de la fibre compte tenu du décalage horaire
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Vérifié
Nombre de produits de mélange dans un mélange à quatre vagues
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Vérifié
Pénalité de puissance résultant de la dispersion chromatique
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Vérifié
Puissance nominale maximale du canal
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Vérifié
Puissance réfléchie
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Vérifié
Quatrième produit d'intermodulation dans le mélange à quatre ondes
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Vérifié
Rapport porteur/bruit
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Vérifié
Temps de montée total du système
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Rayonnement électromagnétique et antennes
(1)
Vérifié
Polarisation
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12 Plus de calculatrices Rayonnement électromagnétique et antennes
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