Calculatrice A à Z

Amélioration du canal P Calculatrice

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MOSFETBJT
Amélioration du canal PActuelAmélioration du canal NAnalyse des petits signauxBiaisCaractéristiques du MOSFETEffets capacitifs internes et modèle haute fréquenceFacteur d'amplification ou gainRapport de réjection en mode commun (CMRR)RésistanceTensionTransconductanceTransistors MOS
Amélioration du canal P Calculatrices
Charge de couche d'inversion dans PMOS
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Charge de la couche d'inversion à la condition de pincement dans PMOS
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Courant dans le canal d'inversion du PMOS
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Courant dans le canal d'inversion du PMOS compte tenu de la mobilité
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Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS
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Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov
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Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS
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Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd
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Courant de drain global du transistor PMOS
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Drainer le courant de la source au drain
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Effet corporel dans PMOS
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Paramètre de transconductance de processus de PMOS
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Paramètre d'effet de backgate dans PMOS
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Temps de transit du transistor PNP
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Tension de surmultiplication du PMOS
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Amélioration du canal P
Calculateur de pourcentage Calculateur de fractions Calculateur PPCM PGCD
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