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   Amplificateurs MOSFET PDF
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Contenu du PDF Amplificateurs MOSFET

Liste des 20 Amplificateurs MOSFET Formules

Capacité de jonction à polarisation nulle
​Aller
Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle
​Aller
Courant de fonctionnement avec tension d'entrée différentielle
​Aller
Gain de courant en mode commun du transistor à source contrôlée
​Aller
Gain de tension de l'amplificateur différentiel cascode compte tenu de la transconductance
​Aller
Gain de tension différentielle dans l'amplificateur différentiel MOS
​Aller
Gain en mode commun du transistor à source contrôlée
​Aller
Plage de mode commun d'entrée maximale de l'amplificateur différentiel MOS
​Aller
Plage de mode commun d'entrée minimale de l'amplificateur différentiel MOS
​Aller
Résistance à la hausse du demi-circuit différentiel Cascode
​Aller
Résistance vers le bas du demi-circuit différentiel Cascode
​Aller
Tension de décalage d'entrée de l'amplificateur différentiel MOS
​Aller
Tension de décalage d'entrée de l'amplificateur différentiel MOS en fonction du courant de saturation
​Aller
Tension de décalage d'entrée de l'amplificateur différentiel MOS lorsque le rapport d'aspect ne correspond pas
​Aller
Tension de décalage d'entrée totale de l'amplificateur différentiel MOS en fonction du courant de saturation
​Aller
Tension de décalage du MOSFET avec charge de miroir de courant
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Tension de sortie de l'amplificateur de tension
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Tension d'entrée de l'amplificateur différentiel MOS en fonctionnement à petit signal
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Tension d'entrée différentielle maximale du MOSFET en fonction de la tension de surcharge
​Aller
Transconductance de l'amplificateur différentiel MOS en fonctionnement à petit signal
​Aller

Variables utilisées dans le PDF Amplificateurs MOSFET

  1. Acm Gain en mode commun (Décibel)
  2. Acmi Gain de courant en mode commun
  3. Ad Gain différentiel
  4. Av Gain de tension
  5. Cj0 Capacité de jonction à polarisation nulle (Farad)
  6. Cj0sw Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation (Farad)
  7. gm Transconductance (millisiemens)
  8. Id Courant de vidange (Milliampère)
  9. Is Courant de saturation (Milliampère)
  10. Isc Courant de saturation pour DC (Milliampère)
  11. It Courant total (Milliampère)
  12. k'n Paramètre de transconductance du processus (millisiemens)
  13. NA Concentration dopante de l'accepteur (Électrons par centimètre cube)
  14. NA(sw) Densité de dopage des parois latérales (Électrons par mètre cube)
  15. ND Concentration dopante du donneur (Électrons par centimètre cube)
  16. R01 Résistance équivalente du primaire (Kilohm)
  17. R02 Résistance équivalente du secondaire (Kilohm)
  18. R'1 Résistance de l'enroulement primaire au secondaire (Kilohm)
  19. R'2 Résistance de l'enroulement secondaire au primaire (Kilohm)
  20. Rc Résistance des collectionneurs (Kilohm)
  21. RL Résistance à la charge (Kilohm)
  22. Ro Résistance de sortie (Kilohm)
  23. Ron Résistance à la baisse du différentiel Cascode (Kilohm)
  24. Rop Résistance à la hausse du différentiel Cascode (Kilohm)
  25. Vcm Tension CC en mode commun (Volt)
  26. Vcmr Plage de mode commun (Volt)
  27. Vd Tension aux bornes de la diode (Volt)
  28. Vgs Tension entre la porte et la source (Volt)
  29. Vid Tension d'entrée différentielle (Volt)
  30. Vin Tension d'entrée (Volt)
  31. Vis Signal d'entrée différentiel (Volt)
  32. VL Tension de charge (Volt)
  33. Vo Tension de décalage CC de sortie (Volt)
  34. Vod Signal de sortie différentiel (Volt)
  35. Vos Tension de décalage d'entrée (Volt)
  36. Vout Tension de sortie (Volt)
  37. Vov Tension efficace (Volt)
  38. Vs Tension source (Volt)
  39. Vss Petit signal (Volt)
  40. Vt Tension de seuil (Volt)
  41. WL Ratio d'aspect
  42. WL1 Rapport hauteur/largeur 1
  43. β Gain de courant de l'émetteur commun
  44. βforced Gain de courant d'émetteur commun forcé
  45. ΔRc Changement dans la résistance du collecteur (Kilohm)
  46. εsi Permitivité du silicium (Farad par mètre)
  47. Φo Potentiel de jonction intégré (Volt)
  48. Φosw Potentiel intégré des jonctions des parois latérales (Volt)

Constantes, fonctions et mesures utilisées dans le PDF Amplificateurs MOSFET

  1. Constante: [Charge-e], 1.60217662E-19
    Charge d'électron
  2. Constante: [Permitivity-silicon], 11.7
    Permittivité du silicium
  3. Fonction: log10, log10(Number)
    Le logarithme décimal, également connu sous le nom de logarithme de base 10 ou logarithme décimal, est une fonction mathématique qui est l'inverse de la fonction exponentielle.
  4. Fonction: sqrt, sqrt(Number)
    Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.
  5. La mesure: Courant électrique in Milliampère (mA)
    Courant électrique Conversion d'unité
  6. La mesure: Bruit in Décibel (dB)
    Bruit Conversion d'unité
  7. La mesure: Capacitance in Farad (F)
    Capacitance Conversion d'unité
  8. La mesure: Résistance électrique in Kilohm (kΩ)
    Résistance électrique Conversion d'unité
  9. La mesure: Conductivité électrique in millisiemens (mS)
    Conductivité électrique Conversion d'unité
  10. La mesure: Potentiel électrique in Volt (V)
    Potentiel électrique Conversion d'unité
  11. La mesure: Permittivité in Farad par mètre (F/m)
    Permittivité Conversion d'unité
  12. La mesure: Densité d'électron in Électrons par centimètre cube (electrons/cm³), Électrons par mètre cube (electrons/m³)
    Densité d'électron Conversion d'unité
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