Transistors MOS Calculatrice

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MOSFET BJT

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Transistors MOS Actuel Amélioration du canal N Amélioration du canal P Analyse des petits signaux Biais Caractéristiques du MOSFET Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Facteur d'amplification ou gain Rapport de réjection en mode commun (CMRR)Résistance Tension Transconductance

Transistors MOS Calculatrices

Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur

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Capacité équivalente à grande jonction de signal

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Coefficient de biais du substrat

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Courant de drain circulant à travers le transistor MOS

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Courant de drain dans la région de saturation du transistor MOS

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Délai lorsque le NMOS fonctionne dans une région linéaire

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Densité de charge dans la région d'épuisement

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Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

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Fonction de travail dans MOSFET

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Grande capacité de signal équivalente

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Potentiel de Fermi pour le type N

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Potentiel de Fermi pour le type P

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Potentiel intégré dans la région d’épuisement

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Profondeur de la région d'épuisement associée à la source

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Profondeur de la région d'épuisement associée au drain

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Profondeur d'épuisement maximale

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Puissance moyenne dissipée sur une période de temps

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Réduisez le courant dans la région de saturation

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Réduisez le courant dans la région linéaire

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Temps de saturation

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Tension du nœud à une instance donnée

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