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   Fabrication de circuits intégrés MOS PDF
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Contenu du PDF Fabrication de circuits intégrés MOS

Liste des 15 Fabrication de circuits intégrés MOS Formules

Concentration de dopant accepteur
​Aller
Concentration de dopant du donneur
​Aller
Concentration maximale de dopant
​Aller
Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation
​Aller
Densité de courant de dérive due aux électrons libres
​Aller
Densité du courant de dérive due aux trous
​Aller
Dimension critique
​Aller
Effet corporel dans MOSFET
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Épaisseur d'oxyde équivalente
​Aller
Fréquence de gain unitaire MOSFET
​Aller
Matrice par tranche
​Aller
Profondeur de mise au point
​Aller
Résistance du canal
​Aller
Temps de propagation
​Aller
Tension du point de commutation
​Aller

Variables utilisées dans le PDF Fabrication de circuits intégrés MOS

  1. Cdep Capacité de la couche d'épuisement (microfarades)
  2. Cgd Capacité de drainage de porte (microfarades)
  3. Cgs Capacité de la source de porte (microfarades)
  4. Cl Capacité de charge (microfarades)
  5. Co Concentration de référence
  6. Cs Concentration maximale de dopant (Électrons par centimètre cube)
  7. CD Dimension critique (Nanomètre)
  8. dw Diamètre de la plaquette (Millimètre)
  9. DOF Profondeur de mise au point (Micromètre)
  10. DPW Matrice par tranche
  11. Ei Intensité du champ électrique (Volt par mètre)
  12. Es Énergie d'activation pour la solubilité solide (Joule)
  13. EOT Épaisseur d'oxyde équivalente (Nanomètre)
  14. ft Fréquence de gain unitaire dans MOSFET (Kilohertz)
  15. gm Transconductance dans MOSFET (Siemens)
  16. Id Courant de vidange (Ampère)
  17. Isat Courant de saturation (Ampère)
  18. Jn Densité de courant de dérive due aux électrons (Microampère)
  19. Jp Densité du courant de dérive due aux trous (Ampère par millimètre carré)
  20. k1 Constante dépendante du processus
  21. k2 Facteur de proportionnalité
  22. khigh-k Constante diélectrique du matériau
  23. Lt Longueur du transistor (Micromètre)
  24. n Concentration d'électrons (Électrons par centimètre cube)
  25. N Nombre de transistors passants
  26. Na Concentration de dopant accepteur (Électrons par mètre cube)
  27. Nd Concentration de dopant du donneur (Électrons par mètre cube)
  28. NA Ouverture numérique
  29. p Concentration des trous (Électrons par mètre cube)
  30. Qon Densité des porteurs (Électrons par mètre cube)
  31. Rch Résistance du canal (Ohm)
  32. Rm Résistance dans MOSFET (Ohm)
  33. Sd Taille de chaque matrice (Millimètre carré)
  34. Ta Température absolue (Kelvin)
  35. thigh-k Épaisseur du matériau (Nanomètre)
  36. Tp Temps de propagation (Deuxième)
  37. Vbs Tension appliquée au corps (Volt)
  38. Vdd Tension d'alimentation (Volt)
  39. Vds Tension de source de drain (Volt)
  40. Vgs Tension de source de porte (Volt)
  41. Vs Tension du point de commutation (Volt)
  42. Vt Tension de seuil avec substrat (Volt)
  43. Vth Tension de seuil avec polarisation de corps nulle (Volt)
  44. Vtn Tension de seuil NMOS (Volt)
  45. Vtp Tension de seuil PMOS (Volt)
  46. Wt Largeur du transistor (Micromètre)
  47. β Paramètre de transconductance (Siemens)
  48. βn Gain du transistor NMOS
  49. βp Gain des transistors PMOS
  50. γ Paramètre d'effet corporel
  51. λi Facteur de modulation de longueur de canal
  52. λl Longueur d'onde en photolithographie (Nanomètre)
  53. μn Mobilité électronique (Mètre carré par volt par seconde)
  54. μp Mobilité des trous (Mètre carré par volt par seconde)
  55. Φf Potentiel Fermi en vrac (Volt)

Constantes, fonctions et mesures utilisées dans le PDF Fabrication de circuits intégrés MOS

  1. Constante: [Charge-e], 1.60217662E-19
    Charge d'électron
  2. Constante: pi, 3.14159265358979323846264338327950288
    Constante d'Archimède
  3. Constante: [BoltZ], 1.38064852E-23
    Constante de Boltzmann
  4. Fonction: exp, exp(Number)
    Dans une fonction exponentielle, la valeur de la fonction change d'un facteur constant pour chaque changement d'unité dans la variable indépendante.
  5. Fonction: sqrt, sqrt(Number)
    Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.
  6. La mesure: Longueur in Micromètre (μm), Nanomètre (nm), Millimètre (mm)
    Longueur Conversion d'unité
  7. La mesure: Temps in Deuxième (s)
    Temps Conversion d'unité
  8. La mesure: Courant électrique in Ampère (A), Microampère (µA)
    Courant électrique Conversion d'unité
  9. La mesure: Température in Kelvin (K)
    Température Conversion d'unité
  10. La mesure: Zone in Millimètre carré (mm²)
    Zone Conversion d'unité
  11. La mesure: Énergie in Joule (J)
    Énergie Conversion d'unité
  12. La mesure: Fréquence in Kilohertz (kHz)
    Fréquence Conversion d'unité
  13. La mesure: Capacitance in microfarades (μF)
    Capacitance Conversion d'unité
  14. La mesure: Résistance électrique in Ohm (Ω)
    Résistance électrique Conversion d'unité
  15. La mesure: Conductivité électrique in Siemens (S)
    Conductivité électrique Conversion d'unité
  16. La mesure: Longueur d'onde in Nanomètre (nm), Micromètre (μm)
    Longueur d'onde Conversion d'unité
  17. La mesure: Densité de courant de surface in Ampère par millimètre carré (A/mm²)
    Densité de courant de surface Conversion d'unité
  18. La mesure: Intensité du champ électrique in Volt par mètre (V/m)
    Intensité du champ électrique Conversion d'unité
  19. La mesure: Potentiel électrique in Volt (V)
    Potentiel électrique Conversion d'unité
  20. La mesure: Mobilité in Mètre carré par volt par seconde (m²/V*s)
    Mobilité Conversion d'unité
  21. La mesure: Densité d'électron in Électrons par mètre cube (electrons/m³), Électrons par centimètre cube (electrons/cm³)
    Densité d'électron Conversion d'unité
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