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Caractéristiques du RCS
Formules : 16   Taille : 393 kb
Dispositifs à transistors avancés
Formules : 20   Taille : 453 kb
Entraînements CC
Formules : 11   Taille : 339 kb
Hachoirs
Formules : 30   Taille : 498 kb
Onduleurs
Formules : 15   Taille : 368 kb
Redresseurs contrôlés
Formules : 14   Taille : 340 kb
Redresseurs monophasés non contrôlés
Formules : 19   Taille : 365 kb
Redresseurs triphasés non contrôlés
Formules : 21   Taille : 356 kb

Contenu du PDF Dispositifs à transistors de base

Liste des 16 Dispositifs à transistors de base Formules

Courant de récupération inverse
Facteur de distorsion du courant d'entrée
Facteur de douceur
Facteur d'ondulation actuel
Facteur d'ondulation de tension
Facteur harmonique du courant d'entrée
Frais de recouvrement inversés
Heure d'arrêt du BJT
Perte de puissance dans BJT
Perte de puissance dans MOSFET
Rapport d'aspect du transistor
Rapport de rectification
Temps d'activation du BJT
Temps d'activation du MOSFET
Temps de désactivation du MOSFET
Temps de récupération inverse

Variables utilisées dans le PDF Dispositifs à transistors de base

  1. bch Largeur du canal (Micromètre)
  2. CDF Facteur de distorsion du courant d'entrée
  3. CHF Facteur harmonique du courant d'entrée
  4. CRF Facteur d'ondulation actuel
  5. Eloss Perte d'énergie (Joule)
  6. fsw Fréquence de commutation (Kilohertz)
  7. Id Courant de vidange (Milliampère)
  8. Io Composante CC du courant RMS (Milliampère)
  9. Irms Courant efficace (Milliampère)
  10. IRR Courant de récupération inverse (Milliampère)
  11. Is Courant d'alimentation efficace (Milliampère)
  12. Is1 Composant fondamental du courant d'alimentation RMS (Milliampère)
  13. Lch Longueur du canal (Micromètre)
  14. PAC Puissance d'entrée CA (Watt)
  15. PDC Sortie d'alimentation CC (Watt)
  16. Ploss Perte de puissance moyenne (Watt)
  17. QRR Frais de recouvrement inversés (Coulomb)
  18. Rds Résistance de la source de drainage (Kilohm)
  19. s Facteur de douceur
  20. ta Temps de décroissance du courant vers l'avant (Deuxième)
  21. tb Temps de décroissance du courant inverse (Deuxième)
  22. Td Temporisation (Deuxième)
  23. Td-off Délai de désactivation du MOSFET (Deuxième)
  24. Td-on Temps de retard MOSFET ON (Deuxième)
  25. Tf Temps d'automne (Deuxième)
  26. Toff Heure d'arrêt (Deuxième)
  27. Ton Heure d'allumage (Deuxième)
  28. Tr Temps de montée (Deuxième)
  29. trr Temps de récupération inverse (Deuxième)
  30. Ts Temps de stockage (Deuxième)
  31. VDC Tension de sortie CC (Volt)
  32. Vr Tension d'ondulation (Volt)
  33. VRF Facteur d'ondulation de tension
  34. WL Ratio d'aspect
  35. ΔI Changement de courant (Milliampère)
  36. η Rapport de rectification

Constantes, fonctions et mesures utilisées dans le PDF Dispositifs à transistors de base

  1. Fonction: sqrt, sqrt(Number)
    Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.
  2. La mesure: Longueur in Micromètre (μm)
    Longueur Conversion d'unité
  3. La mesure: Temps in Deuxième (s)
    Temps Conversion d'unité
  4. La mesure: Courant électrique in Milliampère (mA)
    Courant électrique Conversion d'unité
  5. La mesure: Énergie in Joule (J)
    Énergie Conversion d'unité
  6. La mesure: Charge électrique in Coulomb (C)
    Charge électrique Conversion d'unité
  7. La mesure: Du pouvoir in Watt (W)
    Du pouvoir Conversion d'unité
  8. La mesure: Fréquence in Kilohertz (kHz)
    Fréquence Conversion d'unité
  9. La mesure: Résistance électrique in Kilohm (kΩ)
    Résistance électrique Conversion d'unité
  10. La mesure: Potentiel électrique in Volt (V)
    Potentiel électrique Conversion d'unité

Dispositifs à transistors de base gratuit PDF

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