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   Dispositifs à transistors avancés PDF
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Contenu du PDF Dispositifs à transistors avancés

Liste des 20 Dispositifs à transistors avancés Formules

Capacité de drain de grille du FET
​Aller
Capacité de source de porte du FET
​Aller
Capacité d'entrée de l'IGBT
​Aller
Chute de tension dans l'IGBT à l'état ON
​Aller
Courant de charge moyen du TRIAC
​Aller
Courant de charge RMS du TRIAC
​Aller
Courant de drain du FET
​Aller
Courant de drainage de la région ohmique du FET
​Aller
Courant émetteur de l'IGBT
​Aller
Courant nominal continu du collecteur de l'IGBT
​Aller
Dissipation de puissance du TRIAC
​Aller
Dissipation de puissance maximale dans l'IGBT
​Aller
Gain de tension du FET
​Aller
Pincer la tension du FET
​Aller
Température de jonction maximale du TRIAC
​Aller
Temps d'arrêt de l'IGBT
​Aller
Tension de claquage de la polarisation directe de l'IGBT
​Aller
Tension de saturation de l'IGBT
​Aller
Tension de source de drain du FET
​Aller
Transconductance du FET
​Aller

Variables utilisées dans le PDF Dispositifs à transistors avancés

  1. Av(fet) Gain de tension FET (Volt)
  2. BVsoa(igbt) Tension de claquage SOA IGBT (Volt)
  3. C(g-c)(igbt) Capacité porte à collecteur (IGBT) (Farad)
  4. C(g-e)(igbt) Capacité porte-émetteur (IGBT) (Farad)
  5. Cgd(fet) Capacité de drain de porte FET (Farad)
  6. Cgs(fet) FET de capacité de source de porte (Farad)
  7. Cin(igbt) Capacité d'entrée (IGBT) (Farad)
  8. Gm(fet) FET à transconductance directe (millisiemens)
  9. Go(fet) FET de conductance de canal (millisiemens)
  10. Iavg(triac) Courant de charge moyen TRIAC (Milliampère)
  11. Id(fet) Courant de vidange FET (Milliampère)
  12. Id(igbt) Courant de drain (IGBT) (Milliampère)
  13. Idss(fet) Courant de drain de polarisation zéro (Milliampère)
  14. ie(igbt) Courant électronique (IGBT) (Milliampère)
  15. Ie(igbt) Courant d'émetteur (IGBT) (Milliampère)
  16. if(igbt) Courant direct (IGBT) (Milliampère)
  17. Ih(igbt) Courant de trou (IGBT) (Milliampère)
  18. Ipeak(triac) TRIAC de courant de crête (Milliampère)
  19. Irms(triac) TRIAC actuel RMS (Milliampère)
  20. Np(igbt) Charge positive nette (IGBT) (Coulomb)
  21. P(triac) TRIAC de puissance de dissipation (Watt)
  22. Pmax(igbt) Dissipation de puissance maximale (IGBT) (Watt)
  23. Pmax(triac) TRIAC de dissipation de puissance maximale (Milliwatt)
  24. Rce(igbt) Résistance du collecteur et de l'émetteur (IGBT) (Kilohm)
  25. Rch(igbt) Résistance du canal N (IGBT) (Kilohm)
  26. Rd(fet) FET de résistance de drainage (Kilohm)
  27. Rd(igbt) Résistance à la dérive (IGBT) (Kilohm)
  28. Rs(fet) Source Résistance FET (Kilohm)
  29. Rs(igbt) Résistance à la conductivité IGBT (Kilohm)
  30. Rs(triac) Conductivité Résistance TRIAC (Kilohm)
  31. Rth(j-a)(triac) Jonction au TRIAC de résistance thermique ambiante (Kilohm)
  32. Rth(jc)(igbt) Résistance thermique (IGBT) (Kilohm)
  33. Ta(triac) Température ambiante TRIAC (Celsius)
  34. Tc(igbt) Température du boîtier IGBT (Celsius)
  35. Tdl(igbt) Temps de retard (IGBT) (Deuxième)
  36. tf1(igbt) Temps de chute initial (IGBT) (Deuxième)
  37. tf2(igbt) Heure de chute finale (IGBT) (Deuxième)
  38. Tgd-off(fet) Capacité de drain de grille Temps d'arrêt FET (Deuxième)
  39. Tgs-off(fet) Capacité de la source de porte Temps d'arrêt FET (Deuxième)
  40. Tjmax(igbt) Jonction de fonctionnement maximale (IGBT) (Celsius)
  41. Tjmax(triac) TRIAC de jonction de fonctionnement maximale (Celsius)
  42. Toff(igbt) Heure d'arrêt (IGBT) (Deuxième)
  43. VB-E(pnp)(igbt) Tension de l'émetteur de base PNP IGBT (Volt)
  44. Vce(igbt) Tension totale du collecteur et de l'émetteur (IGBT) (Volt)
  45. Vc-e(sat)(igbt) Tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) (Volt)
  46. Vcut-off(fet) Tension de coupure FET (Volt)
  47. Vdd(fet) Tension d'alimentation au drain FET (Volt)
  48. Vds(fet) Tension de source de drain FET (Volt)
  49. Vds-off(fet) Pincez OFF Drain Source Tension FET (Volt)
  50. Vgd(fet) Tension porte à drain FET (Volt)
  51. Vj1(igbt) Tension Pn Jonction 1 (IGBT) (Volt)
  52. Vknee(triac) TRIAC de tension de genou (Volt)
  53. Voff(fet) Tension de pincement (Volt)
  54. VON(igbt) Chute de tension sur scène (IGBT) (Volt)
  55. θj-c(igbt) Jonction à l'angle du boîtier (IGBT) (Degré)
  56. Ψ0(fet) FET de potentiel de surface (Volt)

Constantes, fonctions et mesures utilisées dans le PDF Dispositifs à transistors avancés

  1. Constante: pi, 3.14159265358979323846264338327950288
    Constante d'Archimède
  2. Fonction: sqrt, sqrt(Number)
    Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.
  3. La mesure: Temps in Deuxième (s)
    Temps Conversion d'unité
  4. La mesure: Courant électrique in Milliampère (mA)
    Courant électrique Conversion d'unité
  5. La mesure: Température in Celsius (°C)
    Température Conversion d'unité
  6. La mesure: Charge électrique in Coulomb (C)
    Charge électrique Conversion d'unité
  7. La mesure: Du pouvoir in Milliwatt (mW), Watt (W)
    Du pouvoir Conversion d'unité
  8. La mesure: Angle in Degré (°)
    Angle Conversion d'unité
  9. La mesure: Capacitance in Farad (F)
    Capacitance Conversion d'unité
  10. La mesure: Résistance électrique in Kilohm (kΩ)
    Résistance électrique Conversion d'unité
  11. La mesure: Conductivité électrique in millisiemens (mS)
    Conductivité électrique Conversion d'unité
  12. La mesure: Potentiel électrique in Volt (V)
    Potentiel électrique Conversion d'unité
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