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A_cm Ganancia en modo común (Decibel)
A_cmi Ganancia de corriente en modo común
A_d Ganancia diferencial
A_v Ganancia de voltaje
C_j0 Capacitancia de unión de polarización cero (Faradio)
C_j0sw Potencial de unión de pared lateral de polarización cero (Faradio)
g_m Transconductancia (milisiemens)
I_d Corriente de drenaje (Miliamperio)
I_s Corriente de saturación (Miliamperio)
I_sc Corriente de saturación para CC (Miliamperio)
I_t Corriente Total (Miliamperio)
k'_n Parámetro de transconductancia del proceso (milisiemens)
N_A Concentración de dopaje del aceptor (Electrones por centímetro cúbico)
N_A(sw) Densidad de dopaje en los flancos (Electrones por metro cúbico)
N_D Concentración de dopaje del donante (Electrones por centímetro cúbico)
R₀₁ Resistencia equivalente de primaria (kilohmios)
R₀₂ Resistencia equivalente desde secundaria (kilohmios)
R'₁ Resistencia del devanado primario en secundario (kilohmios)
R'₂ Resistencia del devanado secundario en primario (kilohmios)
R_c Resistencia del coleccionista (kilohmios)
R_L Resistencia de carga (kilohmios)
R_o Resistencia de salida (kilohmios)
R_on Resistencia hacia abajo del diferencial Cascode (kilohmios)
R_op Resistencia hacia arriba del diferencial Cascode (kilohmios)
V_cm Voltaje CC de modo común (Voltio)
V_cmr Rango de modo común (Voltio)
V_d Voltaje a través del diodo (Voltio)
V_gs Voltaje entre puerta y fuente (Voltio)
V_id Voltaje de entrada diferencial (Voltio)
V_in Voltaje de entrada (Voltio)
V_is Señal de entrada diferencial (Voltio)
V_L Voltaje de carga (Voltio)
V_o Voltaje de compensación de CC de salida (Voltio)
V_od Señal de salida diferencial (Voltio)
V_os Voltaje de compensación de entrada (Voltio)
V_out Tensión de salida (Voltio)
V_ov Voltaje efectivo (Voltio)
V_s Voltaje de fuente (Voltio)
V_ss Pequeña señal (Voltio)
V_t Voltaje umbral (Voltio)
WL Relación de aspecto
WL₁ Relación de aspecto 1
β Ganancia de corriente del emisor común
β_forced Ganancia de corriente de emisor común forzada
ΔR_c Cambio en la resistencia del coleccionista (kilohmios)
ε_si Permitividad del silicio (farad por metro)
Φ_o Potencial de unión incorporado (Voltio)
Φ_osw Potencial incorporado de uniones de paredes laterales (Voltio)

Constantes, funciones y medidas utilizadas en Amplificadores MOSFET PDF

Constante: [Charge-e], 1.60217662E-19
carga de electrones
Constante: [Permitivity-silicon], 11.7
Permitividad del silicio
Función: log10, log10(Number)
El logaritmo común, también conocido como logaritmo de base 10 o logaritmo decimal, es una función matemática que es la inversa de la función exponencial.
Función: sqrt, sqrt(Number)
Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.
Medición: Corriente eléctrica in Miliamperio (mA)
Corriente eléctrica Conversión de unidades
Medición: Ruido in Decibel (dB)
Ruido Conversión de unidades
Medición: Capacidad in Faradio (F)
Capacidad Conversión de unidades
Medición: Resistencia electrica in kilohmios (kΩ)
Resistencia electrica Conversión de unidades
Medición: Conductancia eléctrica in milisiemens (mS)
Conductancia eléctrica Conversión de unidades
Medición: Potencial eléctrico in Voltio (V)
Potencial eléctrico Conversión de unidades
Medición: Permitividad in farad por metro (F/m)
Permitividad Conversión de unidades
Medición: Densidad de electrones in Electrones por metro cúbico (electrons/m³), Electrones por centímetro cúbico (electrons/cm³)
Densidad de electrones Conversión de unidades

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