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   Fabricación de circuitos integrados MOS PDF
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Contenido del PDF de Fabricación de circuitos integrados MOS

Lista de 15 Fabricación de circuitos integrados MOS Fórmulas

Concentración de dopante aceptor
​Vamos
Concentración de dopante del donante
​Vamos
Concentración máxima de dopante
​Vamos
Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación
​Vamos
Densidad de corriente de deriva debido a agujeros
​Vamos
Densidad de corriente de deriva debido a electrones libres
​Vamos
Dimensión crítica
​Vamos
Efecto corporal en MOSFET
​Vamos
Espesor de óxido equivalente
​Vamos
Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET
​Vamos
Profundidad de enfoque
​Vamos
Resistencia del canal
​Vamos
Tiempo de propagación
​Vamos
Troquel por oblea
​Vamos
Voltaje del punto de conmutación
​Vamos

Variables utilizadas en el PDF Fabricación de circuitos integrados MOS

  1. Cdep Capacitancia de la capa de agotamiento (Microfaradio)
  2. Cgd Capacitancia de drenaje de compuerta (Microfaradio)
  3. Cgs Capacitancia de la fuente de puerta (Microfaradio)
  4. Cl Capacitancia de carga (Microfaradio)
  5. Co Concentración de referencia
  6. Cs Concentración máxima de dopante (Electrones por centímetro cúbico)
  7. CD Dimensión crítica (nanómetro)
  8. dw Diámetro de la oblea (Milímetro)
  9. DOF Profundidad de enfoque (Micrómetro)
  10. DPW Troquel por oblea
  11. Ei Intensidad del campo eléctrico (voltios por metro)
  12. Es Energía de activación para la solubilidad sólida (Joule)
  13. EOT Espesor de óxido equivalente (nanómetro)
  14. ft Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET (Kilohercio)
  15. gm Transconductancia en MOSFET (Siemens)
  16. Id Corriente de drenaje (Amperio)
  17. Isat Corriente de saturación (Amperio)
  18. Jn Densidad de corriente de deriva debido a electrones (Microamperio)
  19. Jp Densidad de corriente de deriva debido a agujeros (Amperio por milímetro cuadrado)
  20. k1 Constante dependiente del proceso
  21. k2 Factor de proporcionalidad
  22. khigh-k Constante dieléctrica del material
  23. Lt Longitud del transistor (Micrómetro)
  24. n Concentración de electrones (Electrones por centímetro cúbico)
  25. N Número de transistores de paso
  26. Na Concentración de dopante aceptor (Electrones por metro cúbico)
  27. Nd Concentración de dopante del donante (Electrones por metro cúbico)
  28. NA Apertura numérica
  29. p Concentración de agujeros (Electrones por metro cúbico)
  30. Qon Densidad del portador (Electrones por metro cúbico)
  31. Rch Resistencia del canal (Ohm)
  32. Rm Resistencia en MOSFET (Ohm)
  33. Sd Tamaño de cada troquel (Milímetro cuadrado)
  34. Ta Temperatura absoluta (Kelvin)
  35. thigh-k Grosor del material (nanómetro)
  36. Tp Tiempo de propagación (Segundo)
  37. Vbs Voltaje aplicado al cuerpo (Voltio)
  38. Vdd Voltaje de suministro (Voltio)
  39. Vds Voltaje de la fuente de drenaje (Voltio)
  40. Vgs Voltaje de fuente de puerta (Voltio)
  41. Vs Voltaje del punto de conmutación (Voltio)
  42. Vt Voltaje umbral con sustrato (Voltio)
  43. Vth Voltaje umbral con polarización corporal cero (Voltio)
  44. Vtn Voltaje umbral NMOS (Voltio)
  45. Vtp Voltaje de umbral de PMOS (Voltio)
  46. Wt Ancho del transistor (Micrómetro)
  47. β Parámetro de transconductancia (Siemens)
  48. βn Ganancia del transistor NMOS
  49. βp Ganancia del transistor PMOS
  50. γ Parámetro de efecto corporal
  51. λi Factor de modulación de longitud del canal
  52. λl Longitud de onda en fotolitografía (nanómetro)
  53. μn Movilidad electrónica (Metro cuadrado por voltio por segundo)
  54. μp Movilidad del agujero (Metro cuadrado por voltio por segundo)
  55. Φf Potencial de Fermi a granel (Voltio)

Constantes, funciones y medidas utilizadas en Fabricación de circuitos integrados MOS PDF

  1. Constante: [Charge-e], 1.60217662E-19
    carga de electrones
  2. Constante: [BoltZ], 1.38064852E-23
    constante de Boltzmann
  3. Constante: pi, 3.14159265358979323846264338327950288
    La constante de Arquímedes.
  4. Función: exp, exp(Number)
    En una función exponencial, el valor de la función cambia en un factor constante por cada cambio de unidad en la variable independiente.
  5. Función: sqrt, sqrt(Number)
    Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.
  6. Medición: Longitud in Micrómetro (μm), nanómetro (nm), Milímetro (mm)
    Longitud Conversión de unidades
  7. Medición: Tiempo in Segundo (s)
    Tiempo Conversión de unidades
  8. Medición: Corriente eléctrica in Amperio (A), Microamperio (µA)
    Corriente eléctrica Conversión de unidades
  9. Medición: La temperatura in Kelvin (K)
    La temperatura Conversión de unidades
  10. Medición: Área in Milímetro cuadrado (mm²)
    Área Conversión de unidades
  11. Medición: Energía in Joule (J)
    Energía Conversión de unidades
  12. Medición: Frecuencia in Kilohercio (kHz)
    Frecuencia Conversión de unidades
  13. Medición: Capacidad in Microfaradio (μF)
    Capacidad Conversión de unidades
  14. Medición: Resistencia electrica in Ohm (Ω)
    Resistencia electrica Conversión de unidades
  15. Medición: Conductancia eléctrica in Siemens (S)
    Conductancia eléctrica Conversión de unidades
  16. Medición: Longitud de onda in nanómetro (nm), Micrómetro (μm)
    Longitud de onda Conversión de unidades
  17. Medición: Densidad de corriente superficial in Amperio por milímetro cuadrado (A/mm²)
    Densidad de corriente superficial Conversión de unidades
  18. Medición: Fuerza de campo eléctrico in voltios por metro (V/m)
    Fuerza de campo eléctrico Conversión de unidades
  19. Medición: Potencial eléctrico in Voltio (V)
    Potencial eléctrico Conversión de unidades
  20. Medición: Movilidad in Metro cuadrado por voltio por segundo (m²/V*s)
    Movilidad Conversión de unidades
  21. Medición: Densidad de electrones in Electrones por metro cúbico (electrons/m³), Electrones por centímetro cúbico (electrons/cm³)
    Densidad de electrones Conversión de unidades
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